6 [램오버] 라이젠 2세대(젠+)와 3세대(젠2 마티스) 멤컨성능 비교

마야야
7 845

2020.01.14 04:26

이 글은 마티스 출시이후 아래의 자료목록과 같이 4개월 전에 기힉을 했었는데

사이트활동에 회의감이 들 정도로 실망을 주신 분이 있어서  

몇개월간 활동을 접고 있다가 늦은 감이 있지만 올려봅니다

 

자료-1) 라이젠 2세대(젠+)와 3세대(젠2 마티스) 멤컨성능 비교

 

자료-2) 젠2 마티스 + 시금치C다이 3600~3800클럭 오버성능표 (램타/C다이램타특성/부팅전압 및 TM5통과전압/레이턴시)

 

자료-3) 시금치C다이와 3200CL22(1.20V) 표준램의 오버잠재력 비교

  1. 팀그룹 3200CL22 (마이크론) 표준램 : 아래 링크글에서 언급했듯이 램1개가 뿔딱이 걸려서 싱글램으로만 테스트

     https://quasarzone.co.kr/bbs/board.php?bo_table=qf_overclocking&wr_id=29851&sfl=wr_name%2C1&stx=%EB%A7%88%EC%95%BC%EC%95%BC

  2. 마이크론 크루셜 (일명 다시마 E다이) 3200CL22 표준램

  3. 삼성 시금치 3200CL22 (향후 출시되면 시금치A다이로 추정) 표준램

 

이 글에서 언급할 내용은 위 자료 목록중 첫번째입니다 

젠+ 레이븐릿지/피너클릿지에서 젠2 마티스로 넘어오면서 멤컨의 성능향상은 비약적이라 할 수 있습니다

 

피너클릿지에서 시금치C다이로 3600CL16 이나 3600CL18로 오버 및 TM5통과 그리고 안정화를 달성하신 분은 극히 드물었습니다

그런데 젠2 마티스에서는 국민오버치인 3200CL16의 전압수준에서도 3600CL18로 보편적이라 할 정도로 오버가 가능하게 됩니다

 

레이븐릿지/피너클릿지에서 마티스로 넘어오면서 멤컨의 성능이 

어느 정도로 향상이 되었는지를 TM5 10주기 통과시의 전압을 기준으로 수치상 비교를 해보겠습니다

(레이븐릿지와 피너클릿지는 2019년도 초에 작성된 데이타입니다)

 

램은 2018년도부터 소장하고 있는

시금치C다이 21300(DDR4-2666) 8GBx2개 2018년 21주차 짜리로 동일램 조건으로 테스트한 결과입니다

젠+ 피너클릿지 2600과 젠2 마티스 3600 으로 비교하였습니다

 

그리고 오버잠재력이 비슷한 삼성B다이의 지스킬 3600CL15 튜닝램과 갤럭시 4000CL19 튜닝램을 피너클릿지 2600과 마티스 3600에서 각각 테스트한 비교표도 제시해드립니다 

 

1.  젠+(레이븐릿지/피너클릿지)와 젠2(마티스) 멤컨성능 비교 - 시금치 C다이인 경우

 

위 표는 시금치C다이 동일램으로 2400G/2600과 3600 CPU에서 테스트한 결과인데

단적으로 설명드리면,,,, 청색 표시부분을 보시면 됩니다

2600과 3600 CPU에서 3666CL18 TM5 통과전압이 바이오스 입력치 기준 무려 0.11V가 낮아집니다

게다가 2600에서의 메인보드는 당시 AMD 램오버로는 최강으로 정평이 나있던 긱바 X470 게이밍 7 이고

이 보드는 마티스 3600에서 테스트한  긱바 X470 울트라게이밍과 비교해서 LLC옵션이 있고

전원부 또한 크로스헤어7과 동급이라 볼 수 있는 보드입니다 (즉, 한계치오버시에 울트라게이밍보드보다 전압이 한두스텝정도 유리합니다)

 

 

1) 피너클릿지 2600 + 시금치C다이 / 3600CL18 TM5 통과샷 / 램전압 1.40V (실인가 1.416V)

 

 

2) 마티스 3600 + 시금치C다이 / 3600CL18 TM5 통과샷 / 램전압 1.29V (실인가 1.308V)

 

 

3) 마티스 3600 + 시금치C다이 / 3800CL18 TM5 통과샷 / 램전압 1.39V (실인가 1.416V) 

 

 

 

2. 젠+(피너클릿지)와 젠2(마티스) 멤컨성능 비교 - 성능이 비슷한 삼성B다이 튜닝램인 경우

 

 

피너클릿지 시절에 라이젠에서 가성비 끝판왕이었던 지스킬 3600CL15 로는 3600CL14까지는 TM5 10주기가 통과되며,

3666클럭이상 CL14에서는 TM5통과는 커녕 부팅도 불안할 정도였습니다

이 램과 오버잠재력이 비슷한 갤럭시 4000CL19로는

마티스에서 3800CL16(16-16-16-16-32/1T)은 1.34V(실인가 1.356V)에서 TM5 10주기 통과가 가능하고

3800CL14(14-15-15-15-30/1T)는 1.48V(실인가 1.500V)로 TM5 10주기가 통과됩니다

 

1) 피너클릿지 2600 + 지스킬 3600CL15 / 3600CL14 TM5 통과샷 / 램전압 1.44V (실인가 1.455V) 

 

 

2) 마티스 3600 + 갤럭시 4000CL19 / 3800CL16 TM5 통과샷 / 램전압 1.34V (실인가 1.356V) 

 

 

3) 2) 마티스 3600 + 갤럭시 4000CL19 / 3800CL14 TM5 통과샷 / 램전압 1.48V (실인가 1.500V) 

 

 

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