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새로운 X-NAND 플래시 기술로 플래시 쓰기 속도 2배 향상

Wormhole

19 2633 9 2022.08.13 01:55

해외 매체 기사를 단순 번역한 것으로 자세한 내용은 원문을 참고하시기 바랍니다.
 새로운 X-NAND 플래시 기술로 플래시 쓰기 속도 2배 향상
QLC를 SLC만큼 빠르게 만드는 X-NAND <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2022/08/13/aa2680a9ff4d776595d6005377c336d1.webp" alt="퀘이사존" style="width: 915.614px; height: 491.264px;"> 
X-NAND 플래시 메모리 뒤에 있는 회사는 Blocks and Files에서 보고한 대로 데이터 쓰기를 병렬로 활성화하여 2세대 칩의 저장 속도를 두 배로 늘렸다고 주장합니다. 이러한 방식으로 X-NAND는 더 저렴하고 더 큰 용량으로 제공되는 QLC 플래시에서 SLC 수준의 성능을 제공할 수 있습니다. 
Neo Semiconductor의 X-NAND 아키텍처는 모든 세대의 플래시 메모리에 적용할 수 있으며 3D 매트릭스의 각 평면을 4~16개의 하위 평면으로 분할하고 각 하위 평면은 속도를 최적화하기 위해 페이지 버퍼를 사용하여 병렬로 액세스할 수 있습니다. 2세대 X-NAND는 이 아이디어를 채택하고 하나의 평면을 사용하여 다른 평면에 쓰는 방식으로 압축합니다. 기술 작동 방식에 대한 자세한 내용은 여기에서 우리의 기능을 참조하세요. (*<a href="https://www.tomshardware.com/news/new-x-nand-tech-detailed-slc-speed-at-qlc-density-and-cost" target="_blank">링크</a>) 
간단히 설명하면 속도가 빨라지고 Gen 2 3D X-NAND 칩은 이전 세대의 1,600MBps 대신 3,200MBps로 기록될 수 있으며 전체가 기존 NAND 플래시보다 20배 더 빠르게 작동한다는 것입니다. 지연 시간도 개선되었지만 이에 대한 세부 정보는 공개되지 않았습니다. 
Gen 2 기술은 8월 2일부터 4일까지 캘리포니아 산타클라라에서 열린 올해 Flash Memory Summit에서 Best in Show 상을 받았습니다. Neo에 따르면 이 신기술은 현재 제조 기술과 호환된다고 합니다. 제조 비용이나 다이 크기가 증가하지 않습니다. 
Neo Semiconductor의 설립자이자 CEO인 Andy Hsu는 상을 받은 후 다음과 같이 말했습니다. “이 상은 IT 시스템 및 소비자 제품에서 증가하는 성능 병목 현상을 해결하는 광범위한 기능을 갖춘 진정으로 혁신적인 기술을 NAND 시장에 도입하려는 우리의 노력을 인정합니다. X-NAND Gen1에 비해 처리량이 두 배인 X-NAND Gen-2를 통해 고객은 더 큰 용량과 더 저렴한 QLC 메모리로 SLC와 같은 성능을 얻을 수 있습니다. X-NAND Gen2는 뛰어난 처리량과 레이턴시 개선을 제공하면서 제조 비용을 증가시키지 않는 영향이 없는 아키텍처 및 설계 변경을 통합합니다.” 그러나 글을 쓰는 시점에서 실제로 어떤 스토리지 회사가 X-NAND를 사용하고 있는지 명확하지 않았습니다.

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