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SK 하이닉스, HBM2E 고속 DRAM 양산 시작

Wormhole

11 2360 4 2020.07.02 11:51

해외 매체에 올라온 기사를 번역한 것으로 오역과 의역이 있을 수 있습니다자세한 건 원문을 참고하시기 바랍니다. SK 하이닉스, HBM2E 고속 DRAM 양산 시작 SK 하이닉스는 지난해 8월 신제품 개발을 발표한 지 10개월 만에 고속 DRAM "HBM2E"를 본격 양산하기 시작했다고 발표했습니다.  SK hynix의 HBM2E는 핀당 3.6Gbps (초당 기가비트) 속도 성능을 기반으로 1,024 I/O (입력 / 출력)로 초당 460GB (기가 바이트) 이상을 지원합니다. 업계에서 가장 빠른 DRAM 솔루션으로 초당 124개의 FHD (풀 HD) 동영상 (각각 3.7GB)을 전송할 수 있습니다.  TSV (Through Silicon Via) 기술을 통해 8개의 16Gb 칩을 수직으로 쌓아서 밀도는 16GB이며 이전 세대 (HBM2)보다 2배 이상 높습니다. HBM2E는 고속, 대용량 및 저전력 특성을 자랑합니다. 딥 러닝 가속기 및 고성능 컴퓨팅을 포함한 차세대 AI (Artificial Intelligence) 시스템을 위한 최적의 메모리 솔루션으로, 모두 높은 수준의 컴퓨팅 성능이 필요합니다.  또한 Exascale 슈퍼 컴퓨터 (초당 5배의 계산을 수행할 수 있는 고성능 컴퓨팅 시스템)에 적용될 것으로 예상되며 기후 변화, 바이오 메디컬, 우주탐사 등 차세대 기초·응용과학 연구를 선도할 고성능 컴퓨팅 시스템인 엑사스케일 슈퍼컴퓨터에도 적용될 것으로 기대됩니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2020/07/02/868a056416a219b07dbfebe7e25030b7.jpg" style="width: 708px;"> 주석 ■ HBM (고 대역폭 메모리)<ul><li>TSV 기술을 채택하여 기존 DRAM보다 데이터 처리 속도를 크게 가속화하는 고성능, 고 대역폭 메모리 제품.</li></ul> ■ TSV (실리콘 비아를 통해)<ul><li>DRAM 칩의 수천 개의 미세 구멍을 통해 상부 및 하부 칩을 연결하는 상호 연결 기술입니다.</li></ul><ul><li>버퍼 칩에 여러 DRAM 칩을 쌓은 후 전체 실리콘 웨이퍼 두께를 관통하는 기둥 모양의 경로를 통해 데이터, 명령 및 전류를 제공합니다.</li></ul><ul><li>기존 패키징 방법에 비해 크기가 최대 30% 감소하고 전력 소비가 최대 50% 감소합니다.</li></ul> ■ 데이터 처리 속도 변환 표준<ul><li>1GB = 8Gb</li></ul><ul><li>1024개의 데이터 I/O (입력 / 출력) = 3686.4Gbps의 핀당 3.6Gbps</li></ul><ul><li>3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb-> GB 변환)</li></ul>

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