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영하로 내려가는 칩 제조 — 차세대 도구를 사용하여 -70C에서 제조된 3D 플래시 메모리

신지™

6 2215 9 2024.05.07 00:52

해외 기사를 번역기로 번역 하였습니다 오역이 있을수 있으니 원문을 참고 하세요 SK하이닉스가 극저온 식각을 테스트 중인 것으로 알려졌다.<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/05/07/233f24814c1e05be9f3245fb7075e379.png" alt="퀘이사존">SK하이닉스는 400개 이상의 레이어를 갖춘 새로운 3D NAND를 구현하기 위해 -70C 온도에서 작동하는 Tokyo Electron(TEL)의 최신 극저온 식각 도구를 평가하고 있습니다. 극저온 에칭 도구는 기존 도구보다 3배 빠른 '드릴 구멍'을 제공하며, 이는 400개 이상의 활성 레이어가 있는 3D NAND에 중요한 기능이 될 것이라고 The Elec이 보도했습니다 .
SK하이닉스는 실제 장비를 한국으로 수입하는 대신 테스트용 웨이퍼를 일본 도쿄일렉트론 연구소로 보낸다. 이 방법을 사용하면 3D NAND 제조업체는 실제 도구를 SK하이닉스에 배송하고 팹에 설치하지 않고도 기술의 잠재력을 효과적으로 평가할 수 있습니다. 새로운 에칭 시스템은 -70°C의 냉각 온도에서 작동하는데, 이는 현재 에칭 공정의 0°C ~ 30°C 범위와는 극명한 대조를 이룹니다.
보고서에 따르면 TEL의 차세대 에칭 기계는 기존 도구보다 3배 이상 빠른 속도로 단 33분 만에 높은 종횡비로 10μm 깊이의 에칭을 수행할 수 있다고 합니다. 이 성과는 중요한 기술적 개선일 뿐만 아니라 3D NAND 생산 효율성을 크게 높여 3D NAND 장치의 생산 일정과 출력 품질을 재구성할 수 있습니다.<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/05/07/713b8041f0ad1e54a41b1e77c7460947.png" alt="퀘이사존">3D NAND를 생산할 때 '세로 구멍을 식각하는 것'이 간단하다고 말할 수도 있지만 그렇지 않습니다. 실제로 균일성을 좋게 깊은 메모리 채널 홀을 식각하는 것은 어려운 일입니다. 이것이 바로 업계가 3D NAND에 이중 적층 및 심지어 삼중 적층('깊은' 채널 홀이 있는 하나의 스택 대신 2~3개의 별도 스택 구축)을 채택한 이유입니다. 
SK하이닉스의 321단 3D 낸드 제품은 트리플 스택 구조를 사용하는 것으로 전해진다. TEL의 새로운 식각 장비를 채택하면 단일 또는 이중 스택으로 400단 3D NAND 장치를 구축할 수 있어 생산 효율성이 높아집니다. 400개 이상의 레이어가 포함된 향후 제품이 단일 또는 이중 스택으로 전환할지 여부에 대한 결정은 도구의 성능이 얼마나 안정적이고 결과를 일관되게 재현할 수 있는지에 따라 달라집니다.
TEL 장비의 중요한 환경적 이점은 지구 온난화 지수(GWP)가 1 미만인 불화수소(HF) 가스를 사용한다는 점입니다. 이는 사불화탄소(CF4)와 같이 전통적으로 사용되는 과불화탄소에 비해 급격한 감소입니다. 옥타플루오로프로판(C4F8)은 GWP가 각각 6030과 9540입니다. 결과적으로 TEL의 새로운 도구 채택 가능성은 보다 친환경적인 제조 방식을 향한 업계의 추세가 반영되고 있음을 의미합니다.
SK하이닉스가 도쿄일렉트론에 웨이퍼를 보내 식각 툴을 테스트하는 동안, 삼성전자는 동시에 해당 툴의 데모 버전을 수입해 동일한 기술을 평가하고 있다. 이러한 테스트의 결과는 일반적인 반도체 제조 분야에서 극저온 식각 기술의 향후 채택과 잠재적인 표준화를 결정할 것입니다.

신지™

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