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NEO Semiconductor, 3D X-DRAM의 성능을 향상시키는 부유체 셀 메커니즘 공개

QM달려

0 349 0 2024.05.14 08:33

<div style="text-align: center; "><br></div><div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);"><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">    3D NAND 플래시 및 DRAM 메모리에 대한 혁신적인 기술을 선도하는 개발업체인 NEO Semiconductor는 오늘 3D X-DRAM용 플로팅 바디 셀 메커니즘(Floating Body Cell Mechanism) 성능을 향상시키는 성능을 발표했습니다. 설립자 겸 CEO인 Andy Hsu는 대한민국 서울에서 열린 제16회 IEEE 국제 메모리 워크숍(IMW) 2024에서 NEO의 3D X-DRAM에 대한 획기적인 기술 CAD(TCAD) 시뮬레이션 결과를 발표했습니다.
<br></p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">    Neo Semiconductor는 데이터 보존을 40,000배, 감지 창을 20배 늘릴 수 있는 부유체 셀용 백게이트 채널 심도 변조(BCM)라는 고유한 성능 향상 메커니즘을 공개합니다.</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px"><br></p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px"><br></p></td></tr></tbody></table><p style="line-height: 2;"></p></div><div style="text-align: center; "><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/05/14/5eefdffaa5ca91ce0e15019bd3f9ac1e.jpg" alt="퀘이사존"></div><div style="text-align: center; "><br></div><div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);"><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">    "바디 효과를 사용하여 셀 전류를 변경하는 기존 2D 플로팅 바디 셀과 달리 BCM 메커니즘은 백게이트 전압을 사용하여 채널 깊이를 조절합니다. 이 특허받은 발명품은 감지 창과 데이터 보존을 크게 증가시켜 더 빠른 결과를 가져옵니다. NEO Semiconductor의 설립자 겸 CEO인 Andy Hsu는 “보다 안정적인 DRAM을 제공하고 새로 고침 빈도를 줄여 전력을 절약합니다.”라고 말했습니다. "현재 2D DRAM이 겪고 있는 용량 확장 병목 현상을 해결하면서 DRAM 산업을 3D 시대로 이끌게 된 것을 자랑스럽게 생각합니다."
<span style="font-size: 12pt;"></span></p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">    NEO Semiconductor의 3D X-DRAM은 플로팅 바디 셀 기술을 기반으로 한 최초의 3D NAND형 DRAM 셀 어레이 구조입니다. 오늘날의 성숙한 3D NAND와 유사한 공정을 사용하여 제조할 수 있습니다. Neo의 추정에 따르면 3D X-DRAM 기술은 현재 DRAM 밀도의 8배인 300개 레이어로 128Gb 밀도를 달성할 수 있습니다. 또한 칩의 설치 공간과 전력 소비도 줄일 수 있습니다.</p></td></tr></tbody></table><p style="line-height: 2;"></p></div><div style="text-align: center; "><br></div><div style="text-align: center; "><i style="background-color: initial; color: rgb(255, 153, 0);">※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다.</i><br></div><div style="text-align: center;"><i style="background-color: initial; color: rgb(255, 153, 0);"><br></i></div><div style="text-align: center;">
</div>

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