*TSMC에서 발표한 칩 밀도는 로직 50%, SRAM 30%, 아날로그 20%로 구성된 '혼합' 칩 밀도를 반영합니다.
**동일한 면적에서.
***동일한 속도.
생산 노드는 N3X(3nm급, 극한의 성능에 중점을 둔)와 N2(2nm급)입니다. TSMC는 N3P와 비교했을 때 N3X로 만든 칩은 Vdd를 1.0V에서 0.9V로 낮춰 같은 주파수에서 전력 소비를 7% 낮추거나, 같은 면적에서 성능을 5% 향상시키거나, 같은 주파수에서 트랜지스터 밀도를 약 10% 높일 수 있다고 설명합니다. 한편, 이전 제품과 비교했을 때 N3X의 가장 큰 장점은 데스크톱 또는 데이터센터 GPU와 같은 초고성능 애플리케이션에 중요한 최대 전압이 1.2V라는 점입니다.
TSMC의 N2는 게이트-올-어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터를 사용하는 TSMC 최초의 생산 노드로서 성능, 전력 및 면적(PPA) 특성을 크게 향상시킬 것입니다. N3E와 비교했을 때, N3에서 생산되는 반도체는 전력 소비를 25%~30%(동일한 트랜지스터 수 및 주파수에서) 줄이고, 성능을 10%~15%(동일한 트랜지스터 수 및 전력에서) 높이며, 트랜지스터 밀도를 15%(동일한 속도 및 전력에서) 향상시킬 수 있습니다.
전력 소비와 트랜지스터 밀도 측면에서 N2는 확실히 TSMC의 확실한 챔피언이겠지만, 특히 고전압에서의 성능 측면에서는 N3X가 도전할 수 있습니다. 많은 고객에게 N3X는 검증된 FinFET 트랜지스터를 사용한다는 이점도 있기 때문에 2025년 하반기에는 N2가 자동으로 TSMC의 노드 중 최고가 되지는 않을 것입니다.
2026년: N2P 및 A16
다음 해에 TSMC는 일반적으로 유사한 스마트폰 및 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 대상으로 하는 두 가지 노드를 다시 제공할 예정입니다: N2P(성능 강화 2nm급)와 A16(백사이드 전력 공급이 가능한 1.6nm급)이 그것입니다.
N2P는 기존 N2에 비해 5%~10% 낮은 전력(동일한 속도 및 트랜지스터 수 기준) 또는 5%~10% 높은 성능(동일한 전력 및 트랜지스터 수 기준)을 제공할 것으로 예상됩니다. 반면 A16은 N2P에 비해 최대 20% 낮은 전력(동일 속도 및 트랜지스터 기준), 최대 10% 높은 성능(동일 전력 및 트랜지스터 기준), 최대 10% 더 높은 트랜지스터 밀도를 제공할 수 있도록 설정되어 있습니다.
A16은 향상된 백사이드 전력 공급 네트워크를 갖추고 있으므로 성능을 중시하는 칩 설계자가 선택할 수 있는 노드가 될 것입니다. 물론 백사이드 전원 공급으로 인해 추가 공정 단계가 필요하기 때문에 A16을 사용하면 비용이 더 많이 듭니다.
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