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TSMC의 로드맵 한눈에 보기: 2025/2026년 출시 예정인 N3X, N2P, A16

user_투코

3 894 2 2024.05.23 12:02

<p><div style="text-align: center;"><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/05/23/4b86e023d22737a20417903bd149581c.jpg" alt="퀘이사존" style="background-color: initial; width: 75%;"></div><span><div style="text-align: center;"><br></div></span></p><div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);"><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">지난주 TSMC가 발표한 바와 같이, 올해 말에는 N3P 제조 공정에서 대량 생산을 시작할 예정이며, 이는 당분간 회사의 가장 진보된 노드가 될 것입니다. 내년에는 TSMC가 2025년 하반기에 대량 생산(HVM)에 진입할 때 실제로 서로 경쟁할 수 있는 두 가지 공정 기술을 보유하게 되므로 상황이 좀 더 흥미로워질 것입니다.<span style="font-size: 12pt;"></span></p></td></tr></tbody></table><p style="line-height: 2;"></p></div><p><span><div style="text-align: center;"><br></div><div style="text-align: center;"><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/05/23/50b72797096bddeb2eaaa679c95935de.png" alt="퀘이사존" style="background-color: initial; width: 75%;"></div><div style="text-align: center;"><br></div></span></p><div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);"><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">*TSMC에서 발표한 칩 밀도는 로직 50%, SRAM 30%, 아날로그 20%로 구성된 '혼합' 칩 밀도를 반영합니다.
<span style="font-size: 12pt;"></span></p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">**동일한 면적에서. 
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">***동일한 속도.
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">생산 노드는 N3X(3nm급, 극한의 성능에 중점을 둔)와 N2(2nm급)입니다. TSMC는 N3P와 비교했을 때 N3X로 만든 칩은 Vdd를 1.0V에서 0.9V로 낮춰 같은 주파수에서 전력 소비를 7% 낮추거나, 같은 면적에서 성능을 5% 향상시키거나, 같은 주파수에서 트랜지스터 밀도를 약 10% 높일 수 있다고 설명합니다. 한편, 이전 제품과 비교했을 때 N3X의 가장 큰 장점은 데스크톱 또는 데이터센터 GPU와 같은 초고성능 애플리케이션에 중요한 최대 전압이 1.2V라는 점입니다.
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">TSMC의 N2는 게이트-올-어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터를 사용하는 TSMC 최초의 생산 노드로서 성능, 전력 및 면적(PPA) 특성을 크게 향상시킬 것입니다. N3E와 비교했을 때, N3에서 생산되는 반도체는 전력 소비를 25%~30%(동일한 트랜지스터 수 및 주파수에서) 줄이고, 성능을 10%~15%(동일한 트랜지스터 수 및 전력에서) 높이며, 트랜지스터 밀도를 15%(동일한 속도 및 전력에서) 향상시킬 수 있습니다.
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">전력 소비와 트랜지스터 밀도 측면에서 N2는 확실히 TSMC의 확실한 챔피언이겠지만, 특히 고전압에서의 성능 측면에서는 N3X가 도전할 수 있습니다. 많은 고객에게 N3X는 검증된 FinFET 트랜지스터를 사용한다는 이점도 있기 때문에 2025년 하반기에는 N2가 자동으로 TSMC의 노드 중 최고가 되지는 않을 것입니다.
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px"><b><span style="font-size: 18px;">2026년: N2P 및 A16</span>
</b></p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">다음 해에 TSMC는 일반적으로 유사한 스마트폰 및 고성능 컴퓨팅 애플리케이션을 대상으로 하는 두 가지 노드를 다시 제공할 예정입니다: N2P(성능 강화 2nm급)와 A16(백사이드 전력 공급이 가능한 1.6nm급)이 그것입니다.
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">N2P는 기존 N2에 비해 5%~10% 낮은 전력(동일한 속도 및 트랜지스터 수 기준) 또는 5%~10% 높은 성능(동일한 전력 및 트랜지스터 수 기준)을 제공할 것으로 예상됩니다. 반면 A16은 N2P에 비해 최대 20% 낮은 전력(동일 속도 및 트랜지스터 기준), 최대 10% 높은 성능(동일 전력 및 트랜지스터 기준), 최대 10% 더 높은 트랜지스터 밀도를 제공할 수 있도록 설정되어 있습니다. 
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px">A16은 향상된 백사이드 전력 공급 네트워크를 갖추고 있으므로 성능을 중시하는 칩 설계자가 선택할 수 있는 노드가 될 것입니다. 물론 백사이드 전원 공급으로 인해 추가 공정 단계가 필요하기 때문에 A16을 사용하면 비용이 더 많이 듭니다.
</p><p align="justify" style="text-align: justify; line-height: 2;min-height: 30px"><br></p></td></tr></tbody></table><p style="line-height: 2;"></p></div><p><span><div style="text-align: center;"><br></div><div style="text-align: center;"><br></div><div style="text-align: center;"><span style="color: rgb(255, 156, 0);">※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다.</span></div></span></p>

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