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마이크론, 2025년 EUV DRAM 양산 목표

블랙웰

3 456 1 2024.06.27 21:23

<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/06/27/503e3bead553d775817b0002f0adbbe8.png" alt="퀘이사존"> 파일럿 생산은 1감마 노드에서 이루어집니다.
 마이크론은 최신 공정 노드가 파일럿 생산에 들어가면서 마침내 DRAM 생산 노드에 첨단 EUV 리소그래피를 추가했습니다. 경쟁사와 달리 마이크론은 DRAM 제조에 EUV 리소그래피를 사용하는 것을 서두르지 않았기 때문에 업계에서 가장 늦게 이 첨단 기술을 도입하게 되었습니다. 올해 마이크론은 1γ(1감마) 제조 공정에서 DRAM 메모리의 시범 생산을 시작했으며, 내년에 대량 생산(HVM)에 돌입할 예정입니다.
 현재 마이크론의 메모리 칩 생산은 DUV 리소그래피에만 의존하는 공정 기술을 사용합니다. 반면 삼성과 SK하이닉스는 각각 약 2억 달러에 달하는 고가의 EUV 리소그래피 툴에 투자해 궁극적으로 비용을 절감하고 있습니다. 그러나 마이크론은 표준 DUV 멀티 패터닝을 사용하여 1α 및 1ß 노드에서 비용 및 성능 경쟁력 있는 DRAM을 개발해 왔지만, EUV로 전환하면 최신 노드를 통해 경제성을 개선할 수 있습니다.
 마이크론은 삼성과 SK하이닉스에 비해 EUV 사용률이 다소 뒤처지지만, EUV 결과는 상당히 유망해 보인다고 말합니다: "극자외선(EUV) 리소그래피를 사용한 1γ(1감마) DRAM 파일럿 생산이 순조롭게 진행되고 있으며, 2025년에 대량 생산을 목표로 순조롭게 진행되고 있습니다."라고 Micron의 CEO인 산제이 메로트라는 투자자 및 재무 분석가들과의 컨퍼런스 콜에서 말했습니다.
 마이크론은 1γ DRAM 공정 기술에 많은 기대를 걸고 있으며, EUV를 사용하면 업계에서 가장 작은 DRAM 셀을 만들 수 있고, 이는 업계에서 가장 저렴하고 에너지 효율적인 메모리 장치를 만들 수 있어 향후 출시될 메모리 칩의 주요 경쟁 우위가 될 것으로 기대하고 있습니다. EUV는 이러한 메모리 셀의 핵심 원동력이 될 것입니다. EUV의 사용이 마이크론의 DRAM 성능에 어떤 영향을 미칠지 지켜봐야 할 것입니다.
 EUV를 이용한 마이크론의 1γ DRAM 제조 공정은 일본 히로시마 사업장에서 개발 중이며, 이곳에서 파일럿 생산 프로그램의 일환으로 최초의 1γ 메모리 디바이스가 만들어지고 있습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/06/27/ef4a188e913edd67fd33b28ebd5d3ba3.png" alt="퀘이사존"> 사실, 마이크론은 한동안 ASML의 Twinscan NXE EUV 리소그래피 장비로 실험을 해왔습니다. 이 회사는 1α 및 1ß 노드의 일부 DUV 플로우를 EUV 플로우로 대체하고 적절한 수율을 얻기 위해 점진적으로 튜닝하여 이러한 도구를 테스트해 왔습니다. 이제 회사는 EUV 툴을 사용하여 대량 생산을 준비할 수 있을 만큼 충분한 경험을 쌓았습니다.
 메흐로트라는 지난 3월에 "우리는 극자외선 노광(EUV)으로 생산 역량을 계속 발전시키고 있으며, 1α와 1ß 노드에서 EUV 흐름과 비-EUV 흐름 사이에서 동등한 수율과 품질을 달성했습니다."라고 말했습니다. "우리는 EUV를 사용하여 1γ(1감마) DRAM 파일럿 생산을 시작했으며 2025년에 대량 생산을 목표로 순조롭게 진행 중입니다."
 EUV를 이용한 1γ 및 1δ(1-델타) 생산 기술 외에도, 마이크론은 향후 몇 년 동안 DRAM 생산에 High-NA EUV 사용과 3D DRAM 아키텍처를 모색하고 있습니다.

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