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국내 반도체 장비업체, EUV 공정 수요 감소 위해 ALD 기술 개발

QM바나

2 1022 1 2024.07.15 17:37

<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/07/15/00fcded8e146c404217d4ac1a40a58fa.png" alt="퀘이사존"> <div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);">    한국 반도체 장비 회사 주성 엔지니어링의 황철주 회장은 최근 DRAM과 로직 칩의 확장이 한계에 도달함에 따라 미래의 반도체는 트랜지스터를 함께 쌓을 것이라고 말했습니다. NAND와 같은 트랜지스터를 쌓는 것은 이러한 과제를 극복하는 데 필요합니다.

    한국 언론사 The Elec 의 보도에 따르면 , 황 대표는 첨단 칩 생산 공정에서 극자외선(EUV) 리소그래피 단계 사용을 줄이기 위해 원자층 증착(ALD) 기술을 더 개발해야 한다고 생각합니다.

    ALD 기술은 재료를 한 층씩 성장시켜 높은 균일성, 정밀한 두께 제어, 탁월한 스텝 커버리지를 제공하는 박막 공정으로, 기존 공정 기술이 겪는 어려움을 극복합니다.

    보도에 따르면, 트랜지스터를 스태킹하면 트랜지스터의 추가 스케일링 필요성이 줄어들 수 있다. 증거로, 3D DRAM 생산에는 DUV(deep ultraviolet) 장비가 사용될 것으로 예상됩니다.
    황대표는 스태킹이 점점 더 중요해짐에 따라 ALD 장비에 대한 수요도 증가할 것이라고 믿으며 또한 III-V 반도체와 IGZO 반도체 생산에는 ALD 장비가 필요하다고 말했습니다. ※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다.</td></tr></tbody></table></div>

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