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삼성전자, SK하이닉스·TSMC와 경쟁 위해 4나노급 HBM4 양산할 듯

QM바나

17 2787 11 2024.07.16 16:01

<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/07/16/c4f290ad53287131cac20819df2c2825.png" alt="퀘이사존"> <div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);">    시장 소문에 따르면 삼성전자는 첨단 4나노 공정을 적용한 차세대 고대역폭 메모리 'HBM4' 양산을 준비하고 있습니다.     한국경제신문은 15일 익명의 소식통을 인용해 삼성전자가 4나노 공정을 적용해 6세대 HBM4 로직 다이 양산을 준비하고 있다고 보도했다. 로직 다이는 다이 스택의 하단에 위치하며 HBM의 핵심 구성 요소입니다.

    메모리 제조업체는 이미 HBM3E 등 기존 제품의 로직 다이를 제조할 수 있지만, 6세대 모델에는 고객이 요구하는 맞춤형 기능이 있어 추가적인 웨이퍼 공정 도입이 필요합니다.

    4nm는 삼성의 주력 공정으로 수율이 70%가 넘습니다. 삼성전자도 이 공정을 이용해 플래그십 AI 스마트폰 '갤럭시S24'용 엑시노스 2400 프로세서를 생산하고 있습니다.

    업계 관계자는 "4나노 공정은 7나노, 8나노에 비해 가격이 훨씬 비싸지만 칩 성능과 소비전력이 훨씬 뛰어나다"며 "삼성은 현재 10나노 공정으로 HBM3E를 생산하고 있다"고 말했다. HBM의 입장."

    SK하이닉스는 올해 4월 TSMC 와의 협력을 발표했다 . SK하이닉스는 4월 19일 성명을 통해 양사가 최근 타이베이에서 체결한 양해각서에 따라 6세대 HBM4 칩을 개발하기 위해 협력하고 2026년 양산할 계획이라고 밝혔다. ※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다. </td></tr></tbody></table></div>

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