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키옥시아는 2027년에 BiCS10(332층) 3D NAND 플래시 메모리를 양산할 계획

QM지름

15 3757 10 2026.05.24 08:50

한국 언론 매체 ZDNET Korea는 오늘 업계 소식통을 인용해 키옥시아가 10세대 BiCS FLASH 제품의 양산을 2027년에 시작할 계획이며, 관련 투자에 대한 자세한 내용은 2026년 하반기에 발표될 예정이라고 보도했습니다. 이는 기존에 발표했던 2026년 양산 계획보다 늦춰진 시점입니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/05/24/cae8bf81b072abdeb6807efbaa431b58.webp" alt="퀘이사존"> 키옥시아는 BiCS8 세대에 CBA(CMOS Direct Bonding to Array) 아키텍처를 도입하여 NAND 플래시 메모리에서 메모리 셀과 주변 회로의 제조를 분리했습니다. 기존 메모리 셀 기술과 최신 CMOS 기술을 기반으로 하는 이 회사의 BiCS9 제품은 작년에 샘플링되었습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/05/24/d1c0021d18de4dd5d2ed9ee608b2394e.webp" alt="퀘이사존"> BiCS10은 적층형 스토리지 셀 수를 332층으로 늘려 향후 시장의 대용량 및 고성능 솔루션에 대한 수요를 충족합니다. 이 플래시 메모리는 4.8Gbps의 I/O 인터페이스 속도를 지원하며, 비트 밀도는 기존 BiCS8보다 59% 향상되었습니다. 하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.여러분들이 남겨 주신 소중한 댓글.. 진심으로 감사드립니다. 원문 출처 <a href="https://www.ithome.com/0/954/446.htm" target="_blank">ithome</a>

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