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SK하이닉스 V10 NAND는 375단 적층, 2026년 양산 전망

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13 5890 11 2026.06.11 10:54

<div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);"><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/06/11/2cac25d83d03dbd8e496dd7218c34f2e.png" alt="퀘이사존" style="width: 50%;"> 보도에 따르면 SK하이닉스의 차세대 3D NAND 플래시 메모리인 V10은 375단 적층 구조를 채택할 예정이며, 2026년까지 양산에 들어갈 것으로 예상됩니다. SK하이닉스는 기존 V9 321L에 이어 차세대 V10 NAND를 375단 적층 구조로 개발하고 있습니다. 생산 검증을 완료한 이 회사는 기존 생산 라인의 공정 개선을 통해 2026년까지 대량 생산을 목표로 양산 설비 이전을 준비하고 있습니다. SK하이닉스가 당초 V10에 400단 적층 구조를 적용할 계획이었으나, 양산 과정에서 기술적 어려움이 더 클 것으로 판단하여 375단 적층 구조를 선택했다고 알려졌습니다. 업계 관계자들은 SK하이닉스가 향후 480단 및 604단 3D NAND 개발도 추진할 계획이라고 전했습니다. 기술적으로 SK하이닉스는 V10 NAND의 금속 배선층에 사용되는 일부 워드 라인 소재를 저항이 낮고 충진 성능이 우수한 몰리브덴(Mo)으로 대체했습니다. 몰리브덴 증착 공정에서 SK하이닉스는 비용 효율성이 더 높은 TEL로 장비를 사용할 예정입니다.</td></tr></tbody></table></div>

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