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삼성은 HBM5에 2nm 공정을 사용할 예정: 목표 속도는 HBM4E보다 50% 더 빠르다

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11 1971 9 2026.07.27 14:50

삼성은 차세대 HBM5를 목표로 HBM(고대역폭 메모리) 기술의 한계를 끊임없이 확장하고 있습니다. 삼성전자 관계자는 기술 브리핑에서 HBM5가 HBM4E 대비 동작 속도가 50% 이상 향상될 것으로 예상한다고 밝혔습니다. 이를 위해 삼성은 HBM5의 베이스 다이에 2nm 공정을 직접 적용할 계획입니다. 베이스 다이는 HBM 스택 구조의 최하단 레이어로, GPU와 같은 외부 프로세서와의 데이터 교환을 담당하는 핵심 로직 칩입니다. HBM4부터 베이스 다이는 기존 메모리 공정에서 더욱 발전된 파운드리 공정으로 전환되어 왔습니다. HBM5에 2nm 공정을 적용한다는 것은 제조사들이 베이스 다이를 전체 성능과 전력 소비를 결정짓는 핵심 요소로 인식하고 있음을 보여줍니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/07/27/ec0b61533b3a815fb8918aae85ae568e.jpg" alt="퀘이사존"> 기술적으로 삼성은 2nm 베이스 칩에 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 구조를 적용하는 동시에, 향후 더 높은 용량과 대역폭을 갖춘 HBM 제품을 위해 TSV(Through Silicon Vias) 적층 밀도를 지속적으로 높여나갈 계획입니다. 즉, HBM5는 속도 향상뿐만 아니라 집적도 및 에너지 효율 측면에서의 단점도 해결해야 합니다. 이전 세대를 살펴보면, 삼성은 올해 2월 HBM4 양산에 돌입했고, 5월에는 12단 HBM4E 샘플을 공개했습니다. 현재 베이스 칩은 보다 성숙한 4nm 4세대 공정을 사용하고 있습니다. HBM5 공정 로드맵의 조기 공개는 차세대 HBM 경쟁에서 삼성이 주도권을 확보하려는 의지를 보여줍니다. 삼성은 메모리 자체뿐 아니라 "턴키" 통합 솔루션의 장점을 강조했습니다. 이는 메모리 및 파운드리 서비스부터 첨단 패키징에 이르기까지 모든 것을 자체적으로 처리하며, 설계 초기 단계부터 개입하여 속도, 전력 소비, 발열, 수율을 최적화하려는 전략입니다. 점점 더 치열해지는 AI 칩 경쟁 속에서 이러한 전략은 차세대 고성능 솔루션의 주도권을 확보하기 위한 것입니다. 더 나아가, 이번 공개는 고성능 HBM에 대한 지속적인 수요 증가라는 중요한 맥락을 반영하고 있습니다. 삼성은 2nm 기반 칩 솔루션을 발전시키는 동시에 HBM4, HBM4E 및 파운드리 사업을 통해 고객 파트너십을 확대하여 AI 컴퓨팅 칩 생태계에서 선도적인 위치를 확보하는 것을 목표로 하고 있습니다. 하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.여러분들이 남겨 주신 소중한 댓글.. 진심으로 감사드립니다. 원문 출처 <a href="https://news.mydrivers.com/1/1139/1139199.htm" target="_blank">mydrivers</a>

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