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CXMT는 DRAM 트랜지스터에 실리콘 대신 하프늄을 사용하여 1a 노드 및 그 이후 단계로 나아갈 길을 열었으며, 2031년까지 월 80만 개의 웨이퍼 생산 능력을 확보할 계획입니다

크로노

5 597 2 2026.08.28 01:29

<p>해외 기사를 번역기로 번역 하였습니다 오역이 있을수 있으니 원문을 참고 하세요</p><p><br></p><p><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/08/28/49c2f2535a680cc8ff75a6c0277f08ea.png" alt="퀘이사존"></p><p><br></p><p>CXMT는 DRAM 트랜지스터에 누설 전류를 억제하는 첨단 소재를 성공적으로 적용함으로써 1a DRAM 공정 및 그 이후 단계로 나아가는 데 있어 가장 큰 도약을 이루었으며, 이를 통해 DRAM 제조 공정을 더욱 발전된 노드로 전환할 수 있는 발판을 마련했습니다.</p><p><br></p><p><b><span style="font-size: 24px;">CXMT는 현재 DRAM 트랜지스터에 고유전율 금속 게이트(HKMG) 기술을 사용하고 있습니다.</span></b></p><p><br></p><p>부품이 나노미터 크기로 축소됨에 따라 표준 이산화규소(SiO₂) 절연층은 일반적으로 효과를 잃어 너무 얇아져 양자 터널링을 통해 전류가 직접 누출되기 시작합니다.</p><p><br></p><p><span style="font-weight: 400; background-color: initial;">이러한 공정 소형화 제약을 극복하기 위해 CXMT는 기존 의 실리콘 기반 절연체를 하프늄 산화물(HfO₂)과 같은 소재로 대체하는 고유전율 금속 게이트(HKMG) 기술을 사용하고 있는 것으로 보입니다. 여기서 "k"는 유전 상수, 즉 재료의 전기 절연 능력을 나타냅니다. 하프늄은 이산화규소보다 훨씬 높은 "k" 값을 가지므로, 동일한 전압에서 더 많은 전하를 저장할 수 있어 DRAM 공정의 소형화를 더욱 가속화할 수 있습니다.</span></p><p><span style="font-weight: 400; background-color: initial;"><br></span></p><p><span style="font-weight: 400; background-color: initial;">HKMG 기술은 기존의 폴리실리콘 게이트 전극을 맞춤형 금속 스택으로 대체하여 "폴리실리콘 공핍"으로 알려진 효율 저하의 주요 원인인 전기적 사각지대를 제거합니다.</span></p><p><span style="font-weight: 400; background-color: initial;"><br></span></p><p><span style="font-weight: 400; background-color: initial;"><br></span></p><div><blockquote class="twitter-tweet" align="center"><p lang="en" dir="ltr">Put simply, the biggest technical bottleneck preventing CXMT from moving to the 1α node and beyond has now been removed. <a href="https://t.co/OUnW04eCpS">https://t.co/OUnW04eCpS</a></p>— Jukan (@jukan05) <a href="https://x.com/jukan05/status/2092872120254816313?ref_src=twsrc%5Etfw">August 27, 2026</a></blockquote><br></div><div>DRAM 어레이는 수십억 개의 미세한 셀로 구성되어 있으며, 각 셀에는 트랜지스터(스위치) 하나와 커패시터(전하를 저장하는 저장소) 하나가 포함되어 있다는 것을 알고 있습니다. HKMG 기술은 전류 누설과 그로 인한 열 에너지 낭비를 줄일 뿐만 아니라 전력 효율을 향상시키고 트랜지스터가 폴리실리콘 게이트를 사용하는 것보다 훨씬 빠르게 상태를 전환할 수 있도록 하여 더 빠른 속도를 구현할 수 있도록 합니다.</div><div><br></div><div>CXMT가 현재 이 기술을 1z 노드로 널리 알려진 G4 DRAM 제조 공정뿐 아니라 LPDDR5X 제품에도 적용하고 있는 것으로 보아, 이 회사가 더욱 발전된 1a 노드로 전환할 가능성이 높다고 추측할 수 있습니다. 특히 CXMT가 차세대 15nm G5 DRAM 제조 공정을 이미 개발 중이라는 점을 고려하면 이러한 가능성은 더욱 커집니다.</div><div><br></div><div>참고로, 중국의 DRAM 대기업인 CXMT는 18nm G3 DRAM 공정을 사용하여 3세대 HBM인 HBM2E의 시범 생산 단계에 있는 것으로 알려졌습니다. 또한 G4 공정을 사용한 HBM3 샘플링도 진행 중입니다. 아울러 CXMT의 DDR6 메모리 칩은 연구 개발 검증 단계를 완료하여 양산에 한 걸음 더 가까워졌습니다.</div><div><br></div><div>CXMT의 움직임에 대응하기 위해 메모리 업계의 이른바 '빅 3' 업체인 삼성, SK하이닉스, 마이크론은 차세대 10nm 이하 공정인 D0a로 전환하고 있으며, 3D DRAM(셀 수직 적층)과 4F² 공정을 주시하고 있습니다. 4F² 공정은 차세대 메모리 셀 아키텍처로, 단일 메모리 셀의 구성 요소(트랜지스터 1개와 커패시터 1개)를 수평이 아닌 수직으로 적층하는 방식입니다. 이러한 설계 변화는 단일 메모리 셀의 표면적을 정사각형으로 줄여주는데, 이는 최소 특징 크기의 제곱의 4배(4 × F²)이며, 정확히 2개의 비트라인과 2개의 워드라인으로 구성됩니다. 여기서 비트라인과 워드라인은 각 메모리 셀 내 트랜지스터를 작동시키는 데 사용되는 상호 연결 구조입니다.</div><div><br></div><div><b><span style="font-size: 24px;">CXMT의 급증하는 용량</span></b></div><div><br></div><div>CXMT는 현재  월 20만 장 규모의 웨이퍼 생산 능력을 올해 말까지 월 30만 장 으로 확대하는 등 공격적인 생산 능력 확장을 진행하고 있습니다  . 또한, HBM 웨이퍼 생산에 특화된 월 5만 장 규모의 생산 능력도 확보할 예정입니다.</div><div><br></div><div>게다가 메모리 제조업체인 CXMT는 현재 상하이와 허페이에 두 개의 새로운 공장을 건설 중이며, 이를 통해  월 생산량을 60만 웨이퍼 까지 늘릴 계획입니다 . 실제로 CXMT는 2030년까지 대량 생산에서 마이크론을 추월할 것으로 예상됩니다.</div><div><br></div><div><br></div><div><blockquote class="twitter-tweet" align="center"><p lang="en" dir="ltr">More than 5x DRAM capacity increase from 2024 to 2031.<br><br>What node will those wafers be running in CXMT? <a href="https://t.co/Mvg1wDwY2d">pic.twitter.com/Mvg1wDwY2d</a></p>— John Intel (@intelfabs) <a href="https://x.com/intelfabs/status/2092927841222685005?ref_src=twsrc%5Etfw">August 27, 2026</a></blockquote><br></div><div>흥미롭게도 CXMT의 생산 능력은 2026년부터 2031년까지 매년 월 약 10만 웨이퍼씩 증가하여 총 80만 웨이퍼/월이라는 엄청난 규모에 도달할 것으로 예상됩니다!</div><div><br></div><p><span style="font-weight: 400; background-color: initial;"><br></span></p>

크로노

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