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삼성의 7세대 V-NAND 플래시 칩은 176-Layer를 가질 것으로 보고되었습니다.

Railgun0

2 4823 2 2020.09.09 08:34

출처 : sammobile 번역기 돌린 거라 오역이 많습니다. 올해 초 우리는 업계 최초의 160-Layer 이상 NAND 플래시 메모리 칩을 개발하려는 삼성의 야망에 대해 알게 되었습니다. 하지만 그 당시에는 이 회사의 7세대 V-NAND 플래시에 정확히 얼마나 많은 레이어(Layer)가 포함될지에 대한 정보가 부족했습니다. 이제, 업계 소식통을 인용한 더 벨(The Bell)의 새로운 보고서에 따르면, 삼성은 차세대 솔루션을 위한 176-Layer 구성을 정했다고 합니다. 흥미롭게도, 삼성은 7세대 V-NAND(3D NAND) 플래시 메모리 칩을 192-Layer까지 보유하는 것을 목표로 하고 있었지만, 결국 설명되지 않은 이유로 176-Layer까지 줄이기로 결정했다고 합니다. 아무튼 삼성은 최신 뉴스에 따르면 적어도 2021년 4월 7세대 V-NAND를 양산할 계획입니다. 이는 평택에 있는 반도체 제조 시설에서 삼성의 확장 계획에 관한 또 다른 최근 보고서와 일치합니다. 삼성이 메모리 반도체 제조능력을 높이기 위해 평택 2라인에 투자하고 싶다고 주장했습니다. 삼성은 당초 2021년 하반기부터 2라인에서 V-NAND 플래시 메모리 칩을 양산하고 싶다고 밝혔지만, 최근 보도된 내용에 비춰볼 때 당초 계획보다 일찍 양산을 시작할 수 있을 것으로 보입니다. 삼성은 여전히 세계 1위 낸드플래시 제조업체이지만 경쟁은 계속되고 있습니다. SK하이닉스는 현재 176-Layer 낸드도 연구하고 있으며 인텔은 올해 초 144-Layer 낸드플래시 솔루션을 발표했습니다.

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