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출처 : hardwareluxx번역기 돌린 거라 오역이 많습니다.약 2년 전에 Roman Hartung 별칭 der8auer는 하일브론 대학교(Heilbronn University)의 주사 전자 현미경(scanning electron microscope, 줄여서 SEM) 아래에 Intel Core i7-8700K를 배치했습니다. 회사 Tescan은 이제 AMD Ryzen 9 3950X와 Intel Core i9-10900K, 즉 칩을 자세히 살펴봤습니다. 요점은 7nm와 14nm의 생산량이 얼마나 다른지 살펴보는 것입니다.Intel의 10 코어 다이와 Ryzen 9 3950X의 CCD 및 IOD는 열, 연삭 및 추가 처리 단계를 통해 패키지에서 분리되었습니다. 부품을 주사 전자 현미경 아래에 놓기 전에 추가 처리 단계를 수행해야 했습니다. 무엇보다도 샘플은 샘플 홀더에 접착되어야 합니다. SEM이 제 역할을 수행하려면 전기 전도성 접착제를 사용하여 적용해야 합니다.추가 단계에서 관찰할 샘플 부분을 백금으로 증발시키고 이온 빔이 재료에서 미세한 라멜라를 절단하여 최종적으로 제거하고 검사할 수 있습니다. 증착에는 몇 시간이 걸리며 길이가 100µm에 불과한 부품에 샘플 바늘을 부착하는 것은 결코 쉬운 일이 아닙니다. 샘플은 최종적으로 백금으로 샘플 홀더에 부착되고 200 ~ 300nm의 두께로 절단되며 이제 최종적으로 X-Ray 촬영이 가능합니다.
처음 두 영상에서는 준비 주제와 주사 전자 현미경의 작동 방식에 대해 자세히 다룹니다. 세 번째이자 마지막 비디오는 트랜지스터 매핑에 관한 것입니다. 비디오에서 7nm로 제조된 Ryzen 프로세서 (TSMC, N7) 및 14nm (14nm +++)로 제조된 Intel 프로세서의 트랜지스터도 볼 수 있습니다. 놀라운 점 : Intel Core i9-10900K의 트랜지스터 게이트 폭은 24nm로, 약 22nm의 7nm Ryzen 프로세서의 게이트 폭과 그리 멀지 않습니다. 게이트의 높이도 매우 비슷하지만 TSMC는 트랜지스터를 더 가깝게 또는 더 가깝게 패킹할 수 있습니다.여기서의 결론은 다시 한 번 다음과 같습니다. 생산 가치를 기반으로 한 비교는 거의 의미가 없습니다. 패킹 밀도에 관한 것이며 3D 구조는 1차원이 아닌 3차원으로 크기를 확장할 수 있습니다. 또한, 캐시에서 사용되는지 프로세서의 논리에서 사용되는지에 따라 다양한 유형의 트랜지스터가 있습니다.Intel과 TSMC는 각각 7nm와 10nm이며 평방 밀리 미터당 약 9천만 개의 트랜지스터가 있습니다. 5nm (TSMC) 또는 7nm (Intel)의 경우 150MT/mm² 이상의 트랜지스터 밀도를 목표로 합니다.그러나 다시 말하지만, 하이엔드 프로세서가 이미 다른 트랜지스터를 사용하기 때문에 이러한 값은 서로 쉽게 비교할 수 없습니다. 이는 GPU에도 적용됩니다. 마지막으로 NVIDIA의 새로운 Ampere GPU를 살펴보았습니다. 삼성이 8nm로 제조한 GA102 GPU는 44.56MT/mm², TSMC가 7nm로 제조한 GA100은 65.37MT/mm²입니다.
출처 1: https://www.hardwareluxx.de/index.php/news/hardware/prozessoren/54063-7-vs-14-nm-intels-und-tsmcs-transistoren-im-groessenvergleich.html
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