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출처 : hardwaretimes번역기 돌린 거라 오역이 많습니다.
GAA 기술을 활용한 것으로 알려진 TSMC의 2nm 공정은 예상보다 빠른 속도로 개발을 진행되고 있다고 합니다. 삼성은 이미 2021년(대량생산) 3nm 노드로 GAA 기술 전환을 계획하고 있는 가운데 TSMC는 3nm 노드는 FinFET 공정을 계속 사용하고, GAA 기술 기반의 2nm 노드는 2023년 하반기 양산에 들어간다고 밝혔습니다.그러나 현재 TSMC는 삼성보다 훨씬 앞서고 있으며, 대다수의 칩 제조업체가 애플에 이어 2021년에 5nm 공정을 채택하려고 합니다. 정보에 따르면 5nm 노드의 수율은 기존 7nm 공정보다 훨씬 좋습니다. 반면 3nm 공정은 2022년 하반기에 양산될 예정입니다. TSMC는 자사의 5nm와 3nm 노드가 삼성의 3nm GAA 공정에 맞서기에 충분할 것으로 보고 있습니다.TSMC의 장점은 스마트폰 제조업체의 충분한 지원을 받아 공동으로 개발 중인 2nm GAA 노드까지 계속해서 애플의 주요 파운드리 파트너가 될 것이라는 점입니다.GAA의 큰 문제가 무엇인지 궁금한 경우 트랜지스터를 축소할 때 누설 전류가 더 많이 발생합니다. 일반적으로 전류는 트랜지스터를 켤 때 트랜지스터의 소스와 배출 사이에서만 흐릅니다. 그러나 게이트 길이 측면에서 특정 한계를 밑돌면 트랜지스터가 꺼져 있어도 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르게 됩니다.위 이미지에서 볼 수 있듯이 중앙의 게이트는 3면에서 소스-드레인 부분을 덮습니다. 이전 이미지에 표시된 것처럼 3D 구조입니다. 이것은 측면 보기입니다. GAA를 사용하면 게이트 (아래 보라색)가 네 면 모두에서 모든 소스-드레인 채널을 덮고 누설을 더욱 줄입니다.
출처 1: https://www.hardwaretimes.com/tsmc-to-adopt-gaa-technology-with-2nm-process-samsung-with-3nm/
행성: 블랙홀
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