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삼성, 2nm SF2 GAAFET 공정을 사용하여 최적화된 차세대 Cortex-X CPU에서 Arm과 협력

Wormhole

4 1918 2 2024.02.21 00:18

해외 매체의 기사를 번역한 것으로 오역과 의역이 있을 수 있으며 자세한 내용은 원문을 참고하시기 바랍니다. 삼성전자, 2nm SF2 GAAFET 공정을 사용하여 최적화된 차세대 Cortex-X CPU에서 Arm과 협력 첨단 반도체 기술 분야의 세계적인 선두주자인 삼성전자는 오늘 삼성파운드리의 최신 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술을 기반으로 개발된 최적화된 차세대 Arm Cortex -X CPU를 제공하기 위한 협력을 발표했습니다. 이 이니셔티브는 삼성파운드리가 제공하는 다양한 프로세스 노드에서 Arm CPU 지적 재산(IP)과 함께 배송된 수백만 대의 장치와의 수년간의 파트너십을 기반으로 구축되었습니다. 
이번 협력은 삼성과 Arm 간의 일련의 발표와 계획된 혁신을 위한 무대를 마련합니다. 양사는 차세대 데이터 센터 및 인프라 맞춤형 실리콘을 위한 2나노미터(nm) GAA와 미래 생성 인공 지능(AI) 모바일 컴퓨팅 시장에 혁명을 일으킬 획기적인 AI 칩렛 솔루션을 재창조하려는 대담한 계획을 가지고 있습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/02/21/3d7dcd59b42247527c7bf79711557d5b.jpg" alt="퀘이사존" style="width: 75%;"> 계종욱 파운드리 총괄 부사장은 “Gen AI 시대를 맞아 Arm과의 파트너십을 확장해 차세대 Cortex-X CPU를 제공함으로써 양사의 고객들이 혁신적인 제품을 만들 수 있게 된 것을 기쁘게 생각한다”고 말했다. 삼성전자 디자인 플랫폼 개발. "삼성과 Arm은 수년간의 협력을 통해 탄탄한 기반을 구축했습니다. 이 전례 없는 수준의 심층 설계 기술 공동 최적화는 최신 GAA 프로세스 노드에서 최신 Cortex-CPU에 대한 액세스를 제공하는 획기적인 성과를 거두었습니다. " 
Arm Inc의 클라이언트 비즈니스 SVP 겸 GM인 Chris Bergey는 "삼성과의 오랜 협력을 통해 다세대 첨단 혁신을 실현했습니다."라고 말했습니다. "최신 Samsung 프로세스 노드에서 Cortex-X 및 Cortex-A 프로세서를 최적화하는 것은 모바일 컴퓨팅에서 가능한 것을 재정의하려는 우리의 비전을 공유하고 있으며, AI 시대의 끊임없는 성능 및 효율성 요구를 충족하기 위해 계속해서 경계를 넓힐 수 있기를 기대합니다." 
삼성은 2022년 삼성의 GAA 기술을 기반으로 한 3nm MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)의 최초 생산을 발표했습니다. GAA 기술을 사용하면 FinFET 세대를 넘어서는 추가 장치 확장이 가능하고, 공급 전압 레벨을 줄여 전력 효율성을 향상시키며, 더 높은 구동 전류 성능. 나노시트 구조를 사용한 GAA 구현 접근 방식은 최대의 설계 유연성과 확장성을 제공합니다. 
삼성의 차세대 GAA 프로세스 노드로 설계된 Arm은 사용자 경험을 한 단계 끌어올리기 위해 추가적인 성능과 효율성 개선을 통해 최적화된 최신 Cortex-X CPU를 제공했습니다. 
제품을 적시에 배송해야 한다는 지속적인 압력으로 인해 가장 경쟁력 있는 PPA(전력, 성능, 면적) 특성을 갖춘 최초의 올바른 실리콘을 보장하는 것이 무엇보다 중요합니다. 더 이상 설계와 제조를 별도로 최적화할 수 없습니다. 삼성과 Arm 팀은 처음부터 차세대 Cortex-X CPU 설계 아키텍처와 GAA 프로세스 기술에 대한 PPA 이점을 극대화하는 데 중요한 요소인 설계 기술 공동 최적화(DTCO)를 채택했습니다. 
생성적 AI(Generative AI)는 뛰어난 사용자 경험을 제공하는 새로운 제품 물결의 핵심 성장 동력입니다. 이번 협력을 통해 삼성과 Arm은 삼성의 최신 GAA 프로세스 기술을 바탕으로 차세대 Cortex-X CPU의 최적화된 구현에 대한 액세스를 가속화하여 업계 최고의 성능으로 차세대 제품 혁신을 가능하게 합니다.

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