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TSMC 로드맵 세부 정보 3nm 및 2nm 공정 기술: N3E, N3P, N3X, N2P, N2X

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10 3462 6 2023.04.29 17:27

<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2023/04/29/8a0b14c2033a3d6adbe8aab3071eb8a3.webp" alt="퀘이사존"> TSMC(Taiwan Semiconductor Co.)는 3nm 및 2nm 노드를 포함하는 최신 공정 기술 발전을 선보였습니다. TSMC, 향상된 N3P 3nm 프로세스, HPC 중심 N3X 프로세스, N3AE Auto Early Program 출시 및 2nm 및 TSMC 3DFabric Progress 업데이트대화 중에 회사는 2nm 공정 기술의 진행 상황과 회사의 현재 3nm 기술을 위한 새로운 파트너를 공개했습니다. 기술 발전에는 N3P, N3X 및 N3AE가 포함됩니다. 또한 회사는 2nm 목표와 3DFabric 진행 상황에 대해 논의했습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2023/04/29/1eca1f959f01f95ba3387a6b96845c01.webp" alt="퀘이사존"> TSMC의 새로운 프로세스 기술은 HPC 및 자동차 애플리케이션에 더 많은 기능을 제공하는 동시에 더 많은 전력과 성능을 제공할 것입니다.
<ul><li>N3P - 향상된 전력, 성능 및 밀도를 위한 향상된 3nm 프로세스
</li><li>N3X - 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션에 중점을 둔 프로세스
</li><li>N3AE - 가장 앞선 실리콘 기술을 사용하는 자동차 애플리케이션 소개
</li></ul>북미 기술 심포지엄은 참석 등록을 한 1,600명 이상의 고객과 파트너에게 제공됩니다. 앞으로 몇 개월에 걸쳐 진행될 TSMC의 전 세계 기술 심포지엄 중 첫 번째입니다. 북미 심포지엄은 또한 18개의 신흥 스타트업의 매력적인 기술을 집중 조명하는 혁신 구역을 선보입니다. <div align="center"><table align="center" style="border-width: 1px; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 1px; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);">고객은 더 나은 미래를 위해 세상을 놀라게 할 혁신을 창출하기 위해 실리콘의 힘을 활용하는 새로운 방법을 찾는 것을 멈추지 않습니다. 같은 정신으로 TSMC는 결코 가만히 있지 않으며, 더 많은 성능, 전력 효율성 및 기능으로 프로세스 기술을 지속적으로 개선하고 발전시켜 그들의 혁신 파이프라인이 앞으로 수년 동안 계속 흐를 수 있도록 합니다. — C.C 박사 TSMC CEO 웨이</td></tr></tbody></table></div> <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2023/04/29/d951ab8973902816ddebe64a5441e4ba.webp" alt="퀘이사존"> 북미 기술 심포지엄에서 강조된 핵심 기술은 다음과 같습니다: N3P, N3X 및 N3AE를 포함한 광범위한 3nm 포트폴리오 – 3nm 기술이 대량 생산되고 2023년에 N3 프로세스 및 N3E 버전이 출시됨에 따라 이 회사는 고객의 다양한 요구사항을 충족하기 위해 로드맵에 새로운 버전을 추가하고 있습니다.<ul><li>2024년 하반기에 생산에 들어갈 예정인 N3P는 동일한 누설에서 5% 더 빠른 속도, 같은 비율로 5~10% 전력 감소, 1.04배 더 많은 칩 밀도로 N3E에 추가 향상을 제공합니다.</li><li>HPC 애플리케이션을 위한 성능과 최대 클록 주파수를 우선시하는 N3X는 N3P와 동일하게 개선된 칩 밀도로 1.2V 구동 전압에서 N3P보다 5% 더 빠른 속도를 제공하며 2025년 양산에 들어갈 예정입니다.</li><li>2023년에 제공되는 N3AE 또는 "Auto Early"는 N3E를 기반으로 하는 자동차 공정 설계 키트(PDK)를 제공하고 고객이 자동차 애플리케이션용 3nm 노드에서 설계를 시작할 수 있도록 하여 2025년에 완전한 자동차 인증 N3A 공정으로 이어집니다.</li></ul><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2023/04/29/28fe2ad5a521193ce40f7c68d2d7a201.webp" alt="퀘이사존"> 2nm 기술의 확고한 발전 - TSMC는 여전히 나노시트 트랜지스터를 사용하고 수율과 장치 성능 면에서 진보하고 있는 2nm 기술을 개발하고 있습니다. 이 회사는 2025년에 신기술을 출시하는 데 주력하고 있습니다. 동일한 전력에서 N3E보다 최대 15%의 속도 향상을 제공하는 동시에 전력은 30% 감소하고 1.15X에서 더 많은 칩 밀도를 제공합니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2023/04/29/2007f1ed4d8a73d703f1c22698cb2523.webp" alt="퀘이사존"> N4PRF로 CMOS RF 기술의 한계 극복 – TSMC는 WiFi 7 RF 시스템 온 칩과 같은 디지털 집약적 RF 애플리케이션을 위한 업계에서 가장 진보된 CMOS 무선 주파수 기술이 될 것으로 예상되는 N4PRF도 개발하고 있습니다. 새로운 N4PRF는 2021년에 출시된 N6RF와 동일한 속도를 유지하면서 1.77배 증가된 로직 밀도와 45% 감소된 로직 전력을 지원합니다.
 TSMC 3DFabric 고급 패키징 및 실리콘 적층 – TSMC의 3DFabric 시스템 통합 기술의 주요 신규 개발은 다음과 같습니다:<ul><li>고급 패키징 – 단일 패키지에 더 많은 프로세서와 메모리를 탑재하려는 HPC 애플리케이션의 요구 사항을 지원하기 위해 TSMC는 최대 6배의 레티클 크기(~5,000mm2) RDL 인터포저를 갖춘 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 설루션을 개발하고 있습니다. 12개의 HBM 메모리 스택을 수용할 수 있습니다.</li><li>3D 칩 스태킹 – TSMC는 3D 칩 스태킹을 위한 비용 효율적인 방법을 제공하는 SoIC(System on Integrated Chips) 설루션의 마이크로범프 버전인 SoIC-P를 발표했습니다. SoIC-P는 현재 SoIC-X로 알려진 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션을 위한 TSMC의 기존 범프리스 설루션을 보완합니다.
</li><li>설계 지원 – TSMC는 3D IC 설계에 대한 장벽을 낮추기 위해 개방형 표준 설계 언어의 최신 버전인 3Dblox 1.5를 도입했습니다. 3Dblox 1.5는 자동 범프 합성을 추가하여 설계자가 수천 개의 범프가 있는 대형 다이의 복잡성을 처리하고 잠재적으로 설계 시간을 몇 개월 단축할 수 있도록 지원합니다.</li></ul>하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.여러분들이 남겨 주신 소중한 댓글.. 진심으로 감사드립니다. 원문 출처 <a href="https://wccftech.com/tsmc-roadmap-details-3nm-2nm-process-technologies-n3e-n3p-n3x-n2p-n2x/" target="_blank">wccftech</a>

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