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Intel 14A 프로세스가 중요합니다! 2025년 이후에도 꾸준한 리더십

QM지름

12 2006 10 2024.05.11 15:46

지난 몇 년 동안 인텔은 TSMC를 최대한 빨리 추월하여 선두 자리를 되찾기 위해 전례 없는 속도로 첨단 공정 기술을 추진해 왔으며, 특히 향후 14A 1.4nm급 공정으로 향후 리더십을 공고히 하기 위해 이 과정을 재확인하고 있습니다. 현재 인텔은 계획대로 '4년 내 5개 공정 노드'라는 목표를 달성하는 궤도에 오르고 있습니다. EUV 극자외선 리소그래피 기술을 적용한 인텔 7 프로세스, 인텔 4, 인텔 3은 모두 양산을 달성했습니다. 이 중 업그레이드 버전인 인텔 3는 서버측 시에라 포레스트(Sierra Forest)와 그래나이트 래피즈(Granite Rapids)용으로 올해 순차적으로 출시될 예정입니다. Intel 20A와 Intel 18A의 두 노드는 각각 2nm와 1.8nm에 해당되며 순조롭게 진행되고 있습니다. 이들은 EUV 기술을 계속 사용하고 RibbonFET 풀 서라운드 게이트 트랜지스터와 PowerVia 백 전원 공급 장치 기술을 적용할 것입니다. 두 가지 모두를 통해 인텔은 2025년에 프로세스 리더십을 다시 되찾기를 희망합니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/05/11/4e5883df5856ce5bd79d2e02480ddeb4.png" alt="퀘이사존"> 그 후에도 인텔은 계속해서 혁신적인 기술을 사용하여 미래 프로세스 노드의 개발 및 제조를 촉진하여 리더십을 강화할 것입니다. 핵심 포인트 중 하나는 High NA EUV 기술이며, 개구수(NA)는 빛을 모으고 집중시키는 능력을 나타내는 척도입니다. High NA EUV 리소그래피는 마스크의 회로 패턴을 실리콘 웨이퍼에 반사하는 광학 시스템을 업그레이드함으로써 해상도를 크게 높여 트랜지스터를 더욱 축소하는 데 도움이 됩니다. Intel 18A 이후의 차세대 고급 프로세스 노드인 Intel 14A 1.4nm 레벨은 High NA EUV 리소그래피 기술을 사용합니다. 인텔은 더 작은 형상 크기의 트랜지스터를 제조하기 위해 High NA EUV 리소그래피 기술을 통합하는 동시에 새로운 트랜지스터 구조를 개발하고 PowerVia 후면 전원 공급 장치 기술을 통해 단계를 줄이고 공정을 단순화하는 등 공정 단계를 개선하고 있습니다. 또한 Intel은 고객이 특정 요구 사항을 충족하는 제품을 개발하고 제공할 수 있도록 Intel 3, Intel 18A 및 Intel 14A의 여러 가지 진화된 버전도 발표했습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/05/11/3095219c1d35556ebf0eafd6c17ba453.jpg" alt="퀘이사존"> 하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.여러분들이 남겨 주신 소중한 댓글.. 진심으로 감사드립니다. 원문 출처 <a href="https://news.mydrivers.com/1/979/979177.htm" target="_blank">mydrivers</a>

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