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TSMC는 성능 최적화된 N3P 노드를 2024년 하반기에 대량 생산에 들어갈 예정이지만, 칩 제조업체가 미래를 위해 무엇을 준비하고 있는지 알아보는 것은 그리 이르지 않습니다. N3X, N2, N2P 및 A16 노드는 2025년과 2026년에 출시될 예정이며, TSMC가 N2에서 처음으로 GAA(Gate-All-Around) 나노시트 트랜지스터를 사용하는 등 시장에 다양한 강점을 제공합니다. 다음으로 지난달에 소개된 A16은 복잡한 신호 경로와 조밀한 전력 공급 네트워크를 갖춘 HPC 제품에 이상적입니다.
세계에서 가장 진보된 칩을 생산하기 위한 경쟁은 치열하며, TSMC의 제품 로드맵은 패권을 위한 경쟁이 치열할 것이라고 약속합니다. 첫째, 성능에 최적화된 N3P 노드가 출시될 예정이며, 2024년 하반기에 대량 생산에 들어갈 예정이며 한동안 회사의 가장 발전된 노드가 될 것입니다.
그러나 내년에 TSMC는 2025년 하반기에 대량 제조에 들어갈 두 개의 생산 노드를 도입하여 N3P의 장점을 가속화할 것이라고 약속합니다. 이들 노드는 3nm급 공정인 N3X와 2nm급 공정인 N2입니다.
N3X는 최대 전압이 1.2V인 고성능 컴퓨팅 애플리케이션에 맞게 조정되었습니다. AnandTech가 집계한 연구에 따르면 N3X 칩은 Vdd를 1.0V에서 0.9V로 낮춰 전력 소비를 7% 줄이거나, 성능을 5% 높이거나, 트랜지스터 밀도를 약 10% 늘릴 수 있습니다.
N2는 TSMC 최초로 GAA(Gate-All-Around) 나노시트 트랜지스터를 사용하며, 모바일 및 웨어러블 애플리케이션을 위해 설계된 뛰어난 낮은 Vdd 성능을 제공합니다. 또한, N2의 초박형 적층 나노시트는 HPC를 위한 새로운 차원의 에너지 효율적인 컴퓨팅을 제공한다고 TSMC는 말합니다. 성능을 더욱 향상시키기 위해 후면 파워 레일도 추가될 예정입니다.
N2 기술은 디자이너에게 N2 표준 셀의 유연성을 제공하는 설계 기술 공동 최적화인 TSMC NanoFlex와 함께 제공되며, 작은 면적과 더 큰 전력 효율성을 강조하는 짧은 셀과 성능을 극대화하는 긴 셀이 포함됩니다. 고객은 동일한 설계 블록 내에서 짧은 셀과 긴 셀의 조합을 최적화할 수 있습니다.
2026년에 TSMC는 N2P(2nm급)와 A16(1.6nm급)이라는 두 개의 노드를 추가로 출시할 예정입니다.
N2P는 기존 N2에 비해 5%~10% 낮은 전력 또는 5%~10% 더 높은 성능을 제공할 것으로 예상됩니다. 그러나 이전 발표와 달리 N2P는 백사이드 전력 공급 네트워크를 통합하지 않고 대신 기존의 전력 공급 메커니즘을 사용할 예정입니다. 이는 이러한 고급 전력 공급의 통합이 A16을 포함한 차세대 노드로 옮겨갈 것임을 의미합니다.
TSMC는 지난 달 A16을 발표했습니다. A16은 TSMC의 슈퍼 파워 레일 아키텍처와 나노 시트 트랜지스터를 결합하여 프론트 사이드 라우팅 리소스를 신호에 전용함으로써 로직 밀도와 성능을 개선하여 복잡한 신호 경로와 고밀도 전력 공급 네트워크를 갖춘 HPC 제품에 이상적입니다. TSMC의 N2P 공정에 비해 A16은 데이터센터 제품에 동일한 Vdd(양수 전원 공급 전압)에서 8~10% 속도 향상, 동일한 속도에서 15~20% 전력 절감, 최대 1.10배의 칩 밀도 향상을 제공합니다.
하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.
본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.
여러분들이 남겨 주신 소중한 댓글.. 진심으로 감사드립니다.
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