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11일 한국 언론 ZDNet Korea가 오늘 삼성전자의 10억나노(12나노급) D램 메모리 수율이 여전히 50% 미만이라고 보도했다고 보도했습니다.
이는 업계 전체 목표치인 80~90%보다 훨씬 낮은 수치로, 삼성은 이를 처리하기 위해 지난달 특별 워킹그룹을 꾸렸습니다.
IT홈의 이전 보도를 참고하면, 삼성전자는 2023년 5월 12nm급 DDR5 메모리의 16Gb 버전이 양산을 시작했다고 발표했고, 이후 2023년 9월에는 12nm급 32Gb DDR5 메모리 개발에 성공했다고 발표했습니다.
▲ 삼성전자 12나노급 32Gb DDR5 메모리
32Gb 낸드 용량은 삼성이 TSV 공정을 사용하지 않고도 128GB 용량의 고밀도 DDR5 RDIMM 메모리 모듈을 생산할 수 있음을 의미합니다.
이 기존 메모리 모듈은 TSV를 사용한 3DS DIMM 메모리에 비해 전력 소모가 10% 적고, 제조 비용도 대폭 절감됐습니다.
따라서 삼성전자는 12나노 공정의 32Gb DDR5 메모리 입자를 향후 주력 제품으로 꼽고 있습니다. 특별워킹그룹 설립은 수율을 빠르게 향상시키는 것을 목표로 하고 있습니다.
삼성전자도 앞으로 12나노급 D램 생산을 적극 확대하기로 했습니다. 후자는 현재 주로 1z nm 메모리를 생산하며 프로세스 업그레이드를 거칠 예정입니다.
삼성전자는 12나노급 D램 생산능력을 현재 월 4만장에서 3분기 7만장, 4분기에는 10만장으로 확대할 계획입니다. 내년에는 월 20만장까지 늘릴 계획입니다.
하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.
본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.
여러분들이 남겨 주신 소중한 댓글.. 진심으로 감사드립니다.
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