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한국 연구팀, 1nm 미만 트랜지스터 성장 방법 개발

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15 1716 6 2024.07.05 12:51

<div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);"><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/07/05/47a9aa4144e51a755c1767fac980db69.jpg" alt="퀘이사존">     한국기초과학연구원(IBS)의 한 연구팀이 폭이 1nm 미만인 1D 금속 재료를 성장시키는 새로운 방법을 개발했습니다. 그들은 이 기술을 적용하여 매우 작은 트랜지스터의 게이트 전극으로 1D 금속을 사용하여 2D 반도체 논리 회로를 위한 새로운 구조를 만들었습니다. 그러나 수 나노미터 내에서 전자의 움직임을 제어할 수 있는 매우 작은 트랜지스터를 만드는 것은 어려운 일이었습니다. 반도체 소자의 크기는 게이트 전극의 폭과 효율에 따라 달라집니다. 현재의 제조 공정은 리소그래피의 한계로 인해 수 나노미터 미만의 게이트 길이를 만들 수 없습니다. 이를 해결하기 위해 연구팀은 폭이 0.4nm에 불과한 1D 금속인 이황화 몰리브덴의 미러 트윈 경계(MTB)를 게이트 전극으로 사용했습니다. IBS 팀은 원자 수준에서 2D 반도체의 결정 구조를 변경하여 1D MTB 금속 상을 달성했습니다.
 <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/07/05/0fd99b0feacf432caef2825349b66112.jpg" alt="퀘이사존"> 
    국제 장치 및 시스템 로드맵(IRDS)은 반도체 기술이 2037년까지 약 0.5nm에 도달하고 트랜지스터 게이트 길이는 12nm가 될 것으로 예측합니다. 연구팀의 트랜지스터는 채널 폭이 3.9nm로 작아 이 예측을 뛰어넘었습니다. 1D MTB 기반 트랜지스터는 회로 성능에서도 이점을 제공합니다. 고도로 통합된 회로에서 기생 커패시턴스 문제에 직면한 일부 현재 기술(FinFET 또는 GAA)과 달리 이 새로운 트랜지스터는 간단한 구조와 좁은 게이트 폭으로 인해 이러한 문제를 최소화할 수 있습니다.</td></tr></tbody></table></div> ※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다.

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