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삼성전자·SK하이닉스, 하이브리드 본딩 도입 시점 재검토

QM바나

5 1756 3 2026.07.07 15:36

<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/07/07/3d62767e4c8818cbb1ce530de7dda587.png" alt="퀘이사존"> <div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);">    삼성전자와 SK하이닉스가 HBM에 하이브리드 본딩을 도입할 시점을 다시 저울질하고 있는 것으로 알려졌습니다. ZDNet 보도에 따르면, 차세대 HBM에 하이브리드 본딩이 본격적으로 적용되는 시기가 당초 예상보다 늦어질 것이라는 관측이 업계에서 힘을 얻고 있습니다. 하이브리드 본딩은 한때 HBM4부터 적용될 것으로 기대됐지만, 양사 모두 결국 기존 열압착(TC) 본딩 방식을 유지했습니다. 현재 업계에서는 7세대 HBM인 16단 HBM4E가 가장 이른 도입 시점이 될 것으로 전망하고 있습니다.    일각에서는 하이브리드 본딩 도입이 이보다 더 늦어질 수 있다는 관측도 나옵니다. 패키지 두께 축소와 발열 개선이라는 하이브리드 본딩의 핵심 장점이 예전만큼 절실하지 않게 됐다는 이유에서입니다.     다만 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯한 주요 메모리 업체들은 하이브리드 본딩 기술 개발을 계속 이어가고 있습니다. HBM의 I/O(입출력 단자) 수가 급격히 늘어나면 하이브리드 본딩의 필요성이 다시 부각될 것이라는 게 업계의 예상입니다.     하이브리드 본딩은 기존 방식과 달리 범프 없이 인접한 DRAM 다이의 구리 배선을 직접 접합하는 기술입니다. 이를 통해 HBM 패키지를 더 얇게 만들 수 있고, 발열 특성과 전력 효율도 개선됩니다. 아울러 내부 데이터 전송을 담당하는 HBM I/O 단자를 더 높은 밀도로 연결할 수 있다고 보도는 전했습니다.   두께 기준 완화와 고단 적층 수요 지연    보도는 하이브리드 본딩 도입이 덜 시급해진 배경으로 몇 가지 요인을 꼽았습니다. 우선 업계 전반에서 HBM 두께 기준이 점차 완화되고 있다는 점입니다. 5세대 HBM인 HBM3E까지는 패키지 표준 두께가 720마이크로미터(㎛)였지만, HBM4부터는 상한이 775㎛로 높아졌습니다. DRAM 적층이 8단·12단에서 12단·16단 구성으로 옮겨간 흐름이 반영된 결과입니다.     보도에 따르면 JEDEC은 20단 HBM5를 포함한 차세대 HBM의 두께 상한을 900㎛ 수준에서 최대 1,000㎛까지 높이는 방안도 논의하고 있습니다. 두께 허용치가 높아지면 DRAM 다이 사이 간격을 최소화해야 할 필요성이 줄어들어, 본딩 기술에 요구되는 난도도 낮아집니다.     또 다른 요인은 NVIDIA를 비롯한 주요 고객사의 고단 적층 HBM 수요가 늦어지고 있다는 점입니다. 보도에 인용된 메모리 업계 관계자는 16단 HBM을 둘러싼 고객사와 메모리 제조사 간 논의가 아직 제한적이며, 12단 HBM4E 제품이 당분간 주류로 남을 것이라고 말했습니다.   방열 기술 발전으로 낮아진 하이브리드 본딩의 매력    한편 보도는 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM 발열 특성을 개선할 대체 기술을 개발하면서 하이브리드 본딩 도입의 시급성이 한층 낮아졌다고 짚었습니다. 하이브리드 본딩은 열전도율이 상대적으로 낮은 언더필 소재를 없애 방열 성능을 높이는 방식이지만, 양사는 그 대신 HBM 적층 구조에 전용 방열 구조물을 더하는 쪽을 택하고 있습니다. 삼성전자의 HPB(Heat Path Block)와 SK하이닉스의 iHBM(ICE HBM)이 현재 HBM5를 겨냥해 시험되고 있습니다.     하이브리드 본딩 도입이 늦어지면서 TC 본딩 장비 수요는 오히려 늘고 있는 것으로 전해졌습니다. Newsis 보도에 따르면, 제조사들이 공정 난도가 매우 높은 하이브리드 본딩 대신 다이 면적을 키우는 쪽을 택하면서, 커진 다이 면적을 안정적으로 처리하도록 설계된 한미반도체의 Wide TC 본더 수요가 증가하고 있습니다. ※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다.</td></tr></tbody></table></div>

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