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삼성, HBM4E 메모리 속도, 핀당 16Gbps 확인

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4 585 5 2026.08.24 14:50

<div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);"><img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/08/24/f31c855a163446b1a8e231f07a0cbfa2.png" alt="퀘이사존"> Hot Chips 2026 컨퍼런스 사전 발표에서 삼성의 한상욱 사장은 HBM4E 메모리를 핀당 16Gbps 속도로 출시할 준비를 하고 있다고 밝혔습니다. 이는 올해 5월 말부터 핀당 14Gbps 속도의 HBM4E를 출시해 온 삼성 반도체 사업부에 상당한 자신감을 불어넣는 발표입니다. 삼성은 이번 발표를 통해 스케일링 기술이 순조롭게 발전하고 있으며, HBM4E는 삼성이 인상적인 속도로 생산할 수 있는 HBM 기술의 또 다른 이정표가 될 것이라고 확인했습니다. 현재 삼성의 HBM4는 11.7Gbps의 속도로 출시되고 있어, HBM4E로의 도약은 더욱 놀라운 성과가 될 것입니다. 현재 HBM4E 스택은 핀당 14Gbps, 2,048개의 핀을 통해 최대 3.6TB/s의 대역폭을 구현할 수 있습니다. 하지만 16Gbps의 경우, 단일 HBM4E 스택의 최대 메모리 대역폭은 4TB/s까지 증가합니다. AI 가속기 또는 GPU당 약 12개의 메모리 스택이 필요하다고 가정하면, 전체 메모리 대역폭은 놀라운 수준입니다. 삼성은 현재 12-Hi 구성으로 스택당 48GB의 메모리 밀도를 제공하는 HBM4E를 판매하고 있습니다. 향후 고객 요구에 따라 8-Hi 32GB 및 16-Hi 64GB 스택도 출시될 예정입니다. HBM4E 기술은 삼성의 6세대 10nm DRAM 최적화 공정을 사용하여 여러 층으로 적층한 것입니다. 또한 삼성의 4nm SF4 공정으로 제조된 맞춤형 베이스 다이를 사용하여 다양한 패키지와의 통합을 향상시켰습니다.</td></tr></tbody></table></div>

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