4 2020년 ~ 이후 출시될 메모리 및 제조 기술 요약 정보

Railgun0
7 1514

2020.02.13 14:01

출처 : 테크 파워업


번역기 돌린 거라 오역이 많습니다.


정보가 사실 확인된 것도 있지만, 사실 확인 안된 것은 루머를 기반으로 작성되었습니다.



도입


우리 팀이 정기적으로 업데이트할 이 기사에서, 우리는 유출과 공식적인 발표를 바탕으로 앞으로 나올 하드웨어와 관련된 점점 더 많은 정보 목록을 유지할 것입니다. 출시되지 않은 하드웨어에 대한 루머가 많을 것이 분명하며, 그것은 미친 하드웨어를 제외하고 수년 간의 업계 경험을 바탕으로 하는 것이 우리의 목표입니다. 이러한 하드웨어 출시 소식 외에도 우리는 정보를 더 잘 정리하기 위해 이 기사의 구조를 정기적으로 조정할 것입니다. 이 기사에 중요한 변화가 있을 때마다, 그것은 "새로운" 배너로 우리의 1면에 다시 나타날 것이고, 추가사항은 포럼 코멘트 스레드에 기록될 것입니다. 이 기사는 우리가 NDA에 서명한 정보를 누설하지 않습니다.



• 메모리 

• DDR5 시스템 메모리 [업데이트 됨]

• 출시일 : 2019/2020년 말

• JEDEC 표준이 아직 완전하지 않고 2018년 여름에 예상

• 201 년 5월 Micron : DDR5-4400 데모

• 2018년 2월 이후 개발된 삼성 16Gb DDR5 DRAM

• 삼성은 LPDDR5 프로토 타입 (10nm 등급, 8Gbit, 최종 클록 : DDR5-5500 및 DDR5-6400)의 기능 테스트 및 검증 완료

• SK 하이닉스, 16Gb DDR5-5200 샘플 준비 완료, 1.1V, 2020년 양산 예정

• SK 하이닉스, CES 2020에서 DDR5 RDIMM 모듈 시연 : 4800MHz, 64GB

• Micron은 Xiaomi 휴대폰 (Feb 2 2020)에 사용할 LPDDR5를 제공하고 있습니다. 5.5Gbps 및 6.4Gbps

• 4800-6400Mbps

• 7nm 기술을 사용하여 생산될 것으로 예상

• 1.1V에서 64 비트 링크

• DIMM 모듈의 전압 조절 장치



• HBM2e 그래픽 메모리

• 출시일 : 2019

• 핀당 3.2Gbps 제공 (HBM2보다 33% 빠름)

• Samsung Flashbolt : Die 당 16Gb, 8-Layer 스택, 칩당 16GB, 410GB/s 대역폭

• 하이닉스 : 단일 16GB 칩에 460GB/s, 3.6Gbps, 8개의 16Gb 칩 스택



• HBM3 그래픽 메모리

• 출시일 : 2019년 이전은 아님

• 스택 당 메모리 대역폭 2배 (4000Gbps 예상)

• 7nm 기술을 사용하여 생산될 것으로 예상



• 실리콘 제조 기술


• TSMC 7nm+

• 출시일 : 2019년 4분기

• TSMC N7+는 기존 7nm 노드의 후속 제품

• EUV (Extreme Ultra Violet) 사용

• N7보다 15-20% 더 높은 밀도 및 향상된 전력 소비



• TSMC 6nm

• 출시일 : 불명

• 7nm 공정과 역 호환-새로운 설계 툴 불필요

• 최대 4개의 EUV Layer인 EUV (Extreme Ultra Violet) 사용

• N7보다 18% 높은 로직 밀도



• TSMC 5nm

• 출시일 : 2020년 3월 고객 디자인 테이프 아웃

• 2019년 2분기 현재 위험 생산

• 대량 생산 : 2020년 2분기

• TSMC의 두 번째 EUV 구현 (Extreme Ultra Violet) 사용

• 7nm 밀도의 최대 1.8배

• 최대 14-Layer

• + 15% 더 높은 클럭



• TSMC 3nm

• 대량 제조 : 2022년

• 2020년 팹 건설 시작

• TSMC의 세 번째 EUV 구현 (Extreme Ultra Violet) 사용



• 삼성 6nm

• 출시일 : 불명

• 2019년 2분기 첫 번째 제품 테이프 아웃

• EUV (Extreme Ultra Violet) 사용

• 고객을 위한 특별 변형



• 삼성 5nm

• 출시일 : 불명

• 2019년 2분기 현재 고객 샘플 생산 준비

• EUV (Extreme Ultra Violet) 사용

• 7nm의 밀도 최대 25%

• 전력 소비 20% 감소

• 10% 더 높은 성능



• 인텔 7nm

• 출시일 : 2021 년 계획

• 2022년 7nm+ 노드, 2023년 7nm++ 후속

• EUV (Extreme Ultra Violet) 사용

• 설계 규칙 4배 감소

• CPU, GPU, AI, FPGA, 5G 네트워킹 등 여러 제품에 사용되도록 계획




출처 : https://www.techpowerup.com/review/future-hardware-releases/#toshiba128layer

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