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인텔 144층 QLC 메모리 준비 완료, PLC 메모리 계획 개발

QM지름

21 4463 2 2020.07.12 00:10

최근 몇 달 동안 NAND 플래시 메모리의 가격이 다시 하락하기 시작했으며 현재 제조업체의 주력은 96단 3D 플래시 메모리이며 곧 차세대 100+ 층 스택으로 전환될 것입니다. 96단 이후 인텔의 144단 QLC 플래시 메모리가 완성되었으며 하반기 양산이 예정되어 있으며 새로운 PLC 플래시 메모리는 여전히 계획 중입니다. 144단 플래시 메모리는 인텔의 4세대 3D 플래시 메모리이며, 이전 3세대는 32, 64 및 96 층입니다. 또한 Intel이 마이크론과 결별한 뒤 독자 개발한 차세대 플래시메모리는 지난해 이미 밝혀진 것으로, 제조 난이도가 다소 높지만 다른 업체들이 사용하는 CTP 하이드라진 기술보다 Intel이 더 신뢰성이 뛰어나다는 것입니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2020/07/12/254961d8559aabb28893e39c0be007cd.jpg" style="width: 600px;"> 최신 뉴스에 따르면 인텔의 144단 QLC 플래시 메모리가 완성되었으며 올해 하반기에 양산될 것으로 예상됩니다. 코어 용량은 여전히 1024 Gbit입니다. 이 관점에서 96층 QLC 플래시 메모리의 1024Gbit 코어 용량과 비교할 때 변화가 없으며 내부 개선이 확실하지 않습니다. 144단 QLC 플래시 메모리는 곧 소비자 및 엔터프라이즈 SSD에 사용될 것으로 예상되며, 2018 년에 Intel / Micron은 660P 및 P1과 같은 SSD용 1세대 QLC 플래시 메모리를 최초로 양산했습니다. 이전 계획에 따르면 올해 말에 144층 QLC 플래시 메모리의 양산이 시작될 것으로 예상되며 2021년 SSD 제품군은 144층 QLC 플래시 메모리로 완전히 전환될 것으로 예상되며, 이는 플래시 메모리 비용을 더욱 줄이고 용량을 증가시킬 것입니다. 인텔은 QLC 플래시 메모리 외에도 5-bit / 셀인 PLC 플래시 메모리를 개발하고 있으며 이론적인 용량은 QLC 플래시 메모리보다 25% 더 높습니다. 용량을 추가로 늘리고 스토리지 비용을 줄이려면 PLC 플래시 메모리가 더 복잡하고 안정성과 성능이 저하되어 논쟁의 여지가 있으며 NAND 제조업체는 PLC의 대량 생산을 발표하지 않았습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2020/07/12/bbdc6d594e05f97072120beb5452cb11.jpg" style="width: 600px;"> 퀘이사존의 창작 콘텐츠가 아닌 해외 IT 매체 mydrivers의 단순 번역본 뉴스입니다. 원문 출처 <a href="http://news.mydrivers.com/1/699/699875.htm" target="_blank">mydrivers</a>

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