하드웨어 뉴스 - 최신 IT/하드웨어 정보를 만나보세요

일본 선두: 2nm hCFET 트랜지스터 등장

QM지름

18 6235 9 2020.12.21 15:57

<p style="-webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); font-style: normal; font-variant-ligatures: normal; font-variant-caps: normal; font-weight: 400; font-size: 16px; font-family: NanumBarunGothic, sans-serif; color: rgb(204, 204, 204); max-width: 702px; text-size-adjust: 100%;">하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 QM지림입니다.<p style="-webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); font-style: normal; font-variant-ligatures: normal; font-variant-caps: normal; font-weight: 400; font-size: 16px; font-family: NanumBarunGothic, sans-serif; color: rgb(204, 204, 204); max-width: 702px; text-size-adjust: 100%;">본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다. 2020년 12월, 일본 산업 기술 연구소 (AIST)와 대만 반도체 연구 센터 (TSRI)가 대표하는 공동 연구팀은 2nm 세대용 Si (실리콘) / Ge (실리콘) / Ge 라미네이트를 발표했습니다. 그들은 또한 이종 보완 전계 효과 트랜지스터 (hCFET)를 개발했다고 발표했습니다. 미세 가공 기술의 진보로 인해 FET (전계 효과 트랜지스터)는 고성능과 저전력 소비를 달성했습니다. 22nm 세대에서는 "FinFET"라고 불리는 3차원 게이트 구조를 가진 FET로 발전했습니다. 또한 GAA (Full Door) 구조가 대체 버전으로 등장했습니다. 또한 n형 FET와 p형 FET가 적층된 구조인 CFET 구조라는 기술이 있습니다. 면적을 크게 줄이고 속도를 높일 수 있습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2020/12/21/ae38bf58357fe0b8c3a12ea8b141ed3e.jpg">FET 구조 로드맵 출처 : AISTAIST 실리콘 n형 FET와 게르마늄 p형 FET를 혼합한 CMOS 기술이 연구 개발되었습니다. 한편, TSRI는 2nm 세대 이후 3D 트렌치를 구현하기 위한 미세 공정 기술 개발에 전념하고 있습니다. 이에 양사는 2018년 각각의 장점을 활용하기 위해 국제 공동 연구 프로젝트를 시작했습니다. 이 프로젝트는 Si와 Ge층을 중첩시킬 수 있는 Si/Ge 이질 도랑 통합 플랫폼 개발을 위한 저온 이질 재료 결합기술(LT-HBT)입니다. 200°C 또는 그보다 낮은 온도에서 질량이 높은 Si와 Ge층을 쌓을 수 있습니다. 저온 이종층 접착 기술을 개발했습니다. 저온 이종층 접합 기술 개발 모든 라미네이션 및 식각 공정이 저온에서 수행될 수 있기 때문에 Si 층과 Ge 층의 손상이 최소화되는 것이 특징이며 고품질 Si / Ge 이종 채널 통합 플랫폼을 구현할 수 있습니다. 제품 제조 공정은 다음과 같습니다. 먼저 마스터 웨이퍼에서 Ge의 에피택셜 성장을 위해 "마스터 웨이퍼"와 "도너 웨이퍼"를 준비합니다. SiO2의 절연막이 각 주 실리콘 웨이퍼에 증착되어 표면을 활성화합니다. 그런 다음 200 ° C에서 직접 접착했습니다. 그다음, 도너 실리콘 웨이퍼의 Si 기판, BOX 절연막 및 Si 층이 순차적으로 제거된다. 마지막으로 동북 대학에서 개발 한 NBE (Neutral Beam Etching)를 사용하여 Ge를 균일하게 얇게 했습니다. 그 결과 Si / Ge 이종 채널 적층 구조가 구현됩니다. 이 기술은 hCFET의 제조 공정을 크게 단순화할 수 있으며 다른 다층 구조에서도 사용할 수 있습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2020/12/21/31cd9072a79398f44c403312f901fe1b.jpg">저온 이종 재료 접합 기술을 이용한 Si / Ge 이종 채널 적층 공정 출처 : AIST 연구팀은 개발된 Si / Ge 이종 채널 스태킹 플랫폼을 사용하여 hCFET를 만들었습니다. 동일한 채널 패턴을 갖는 Si 층과 Ge 층을 형성하고, Si 층과 Ge 층 사이의 절연층을 제거하여 나노 시트와 같은 적층 채널 구조를 형성합니다. SEM 조감도에서 Ge 및 Si 채널이 노출된 것을 확인할 수 있습니다. 고유 전율 게이트 절연막 (Al2 O3)과 금속 게이트 (TiN)가 전체 채널을 덮도록 구조 위에 증착되고 GAA 구조 "실리콘 n형 FET"및 "p형 FET"가 위아래로 배치하여. 스택형 hCFET가 구현되었습니다. TEM 단면도에서 상부 Ge 층과 하부 Si 층이 약 50nm의 채널 폭을 갖는 나노 시트 형태로 적층 되어 있음을 알 수 있습니다. 이러한 구조는 TEM EDX 분석으로도 확인할 수 있습니다. 또한 이러한 "n형 FET"및 "p형 FET"를 단일 게이트로 동시에 성공적으로 작동했습니다. LT-HBT를 통해 서로 다른 채널을 스태킹 하는 것이 2nm 세대 트랜지스터 기술로 매우 효과적이라는 사실이 입증되었습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2020/12/21/053345bdc8a43220a5debc1eba927be8.jpg"> 이 연구의 결과는 일본 팀 (AIST 및 도호쿠 대학)으로, Advanced CMOS Technology Research Group의 연구원인 Chang Wen Hsin, AIST의 장치 기술 연구부, TSRI의 Lee Yao-Jen Research가 대표합니다. 다음은 대만의 연구원들로 구성된 국제 협력 연구 그룹입니다 (Jiaotong University, Chenggong University, Southern International University, National Taiwan University, National Sun Yat-sen University, Aiko University, School of Industrial Technology, Taiwan Hitachi High-Tech) 국제 협력 연구팀은 해외를 포함한 민간 기업을 위한 고정밀 이종 채널 통합 플랫폼 구축에 대한 열망과 함께 3년 동안 기술 이전을 진행할 것으로 예상됩니다. 원문 출처 <a href="https://news.mydrivers.com/1/730/730592.htm" target="_blank">mydrivers</a>

QM지름

행성: QM

포인트: 419,890 exp

작성물 댓글

모든회원 자기소개 펼치기

댓글: 18개

하드웨어 뉴스 - 최신 IT/하드웨어 정보를 만나보세요

공지 뉴스게시판 특별 규정(23.09.07)

퀘이사존

20.8k

11-08

전체 CPU/MB/RAM 그래픽카드 케이스 쿨링솔루션 저장장치 파워 키보드/마우스 음향기기 디스플레이 네트워크 소프트웨어 노트북 업계동향 기타/주변기기

추천	제목
0	뷰소닉, 27인치 4K 모니터 VX2730 공개 디스플레이 QM브로리 10 11:54
2	인텔, 65W 및 논-K CPU도 불안정 이슈 영향 받을 수 있다고 확인 CPU/MB/RAM QM포시포시 60 11:51
0	구글, 기후 예측 모델에 머신 러닝 추가 기타/주변기기 QM브로리 53 11:34
0	트러플 시큐리티, 깃허브 리포지토리는 반드시 삭제되지 않는 걸 발견 업계동향 QM브로리 52 11:33
0	그리마니 시스템, IS-21 Infrasonic 21인치 서브우퍼 출시 음향기기 심심해❤️ 49 11:27
1	소너스 파베르 콘체르티노 G4 출시: 고전적인 놀랍고도 값비싼 라우드 스피커 1 음향기기 심심해❤️ 189 10:01
0	EIZO, 울트라 HD IPS 모니터 FlexScan EV4340X 출시 디스플레이 QM락형 218 10:01
1	우주 레이저를 사용하여 ISS와 통신하는 NASA 1 기타/주변기기 QM건빵 190 09:52
0	미국 상원에서 DJI 드론 금지 조치 철회 - 2025년 NDAA 상원 초안에 '중국 공산당 드론 대응법' 포함되지 않음 1 업계동향 QM락형 241 09:49
3	AMD, XDNA 초고해상도 기술로 구동되는 기능이 풍부한 AI 제품군 Amuse 2.0 공개 1 업계동향 QM달려 542 09:13
1	NVIDIA 오픈소스 Linux 드라이버, 독점 드라이버와 동등한 성능과 뛰어난 GPU 최적화 제공 2 그래픽카드 QM달려 383 09:10
2	4K Blu-Ray는 스트리밍과의 전쟁을 포기하지 않습니다. 매출은 계속 성장하고 있습니다. 3 기타/주변기기 심심해❤️ 526 08:31
1	HDR 톤 매핑이란 무엇이며 어떻게 작동하나요? 디스플레이 심심해❤️ 451 08:05
1	기바바이트, 라이젠 9000 지원 AGESA 1.2.0.0a 신규 BIOS 제공 발표 4 CPU/MB/RAM QM오즈 555 07:49
6	AMD 9700X 및 9600X, 기본 및 PBO 구성 모두에서 테스트, 사이버펑크에서 2% 향상 8 CPU/MB/RAM Wormhole 2.8k 02:21
8	오타로 인해 AMD Ryzen 9000 CPU 출시 연기 가능성: Ryzen 5 9600X도 영향을 받음 10 CPU/MB/RAM Wormhole 2.4k 01:19
9	AMD Ryzen AI 300 “Strix” APU 기반 랩탑 출시: Zen 5 CPU, RDNA 3.5 GPU 및 XDNA 2 NPU 코어 결합, 첫 다이샷 사... 9 CPU/MB/RAM user_854318 1.7k 00:09
5	반도체·자동차 수출 호조 한국, 처음으로 일본 뛰어넘나 4 업계동향 블랙웰 624 00:04
1	AI에 쏟아부은 수 십조원…회수하는 날 올까? 3 업계동향 블랙웰 1k 00:02
10	中, AI 반도체 굴기…HBM 자립 승부수 19 업계동향 빌보 1.4k 07-28
62	[단독] 티메프 모기업 큐텐, 중국에서도 미정산… 상해 사무실 4월에 뺐다 78 업계동향 빌보 8.6k 07-28
22	AI 모델 훈련 동안 실패 중 절반이 H100에서 발생...3시간에 한 번씩 실패 29 그래픽카드 QM포시포시 5k 07-28
20	인텔 코어 울트라 200K “애로우 레이크” CPU 클럭 공개: 울트라 9 285K 5.7GHz, 울트라 7 265K 5.5GHz, 울트라 5 245K 5.2GH... 46 CPU/MB/RAM user_854318 4.7k 07-28
12	네이버·카카오페이·페이코, 티메프 결제 취소·환불처리 나선다 15 업계동향 베놈 2.5k 07-28
44	AMD Ryzen 9 9900X 및 Ryzen 7 9700X CPU 시네벤치 점수 유출 72 CPU/MB/RAM Wormhole 7.3k 07-28
4	[종합] SK하이닉스, 반도체 슈퍼사이클 타고 HBM 고공비행 4 업계동향 블랙웰 1.2k 07-28
0	"구글 텃밭 차지할까"…오픈AI, 검색엔진 '서치GPT' 공개 소프트웨어 블랙웰 762 07-28
35	네이버는 28일 오전 10시부터 티몬·위메프 환불 처리 43 업계동향 빌보 6.3k 07-27
18	인텔 15세대 Core Ultra 7 265KF CPU 긱벤치 발견, 최대 5.5GHz 클럭 38 CPU/MB/RAM Wormhole 5.2k 07-27
6	AMD Zen 수석 설계자 마이크 클라크와의 동영상 인터뷰 6 CPU/MB/RAM user_854318 1.9k 07-27