DDR5 SDRAM DDR SDRAM은 매 세대마다 작동 속도가 2배씩 빨라졌습니다. 가장 직전 세대인 DDR4도 DDR3 대비 2배 빠른 속도를 지원했죠. DDR5도 마찬가지입니다. DDR4의 최고 전송 속도가 12,800 ~ 25,600 MB/s였는데요. DDR5는 그 두 배인 25,600 ~ 51,200 MB/s입니다. 물론 이렇게 높은 클록을 그냥 얻어낸 것이 아니며 타이밍에서 많은 손해가 발생합니다. DDR4-2400을 예로 들어보면, 메모리 타이밍이 17-17-17(tCL-tRCD-tRP)으로 작동합니다. 그러나 같은 포지션에 해당하는 DDR5-4800은 40-40-40(tCL-tRCD-tRP)으로 작동하여 상당히 큰 차이를 보여줍니다. 하지만 작동 속도와 타이밍만이 메모리 성능을 좌지우지하는 건 아니니 속단해서는 안 됩니다.
최근 기획 칼럼을 통해 메모리 뱅크에 대한 이론과 뱅크를 어떻게 구성하는지에 따라 성능이 어떻게 달라지는지 보여드렸습니다. 간단히 정리하자면 용량과 클록이 같은 메모리라고 할지라도 뱅크를 어떻게 구성하느냐에 따라 성능이 달라질 수 있다는 겁니다. 그래도 DDR4는 그나마 뱅크 그룹이 2개인지, 4개인지만 확인하면 됐습니다. 만일 용량 대비 뱅크 그룹 개수가 적다면 성능을 의심해 보면 될 일이었죠. 하지만 DDR5는 뱅크 그룹이 8개인지 4개인지 그리고 뱅크를 2개 혹은 4개씩 묶어 그룹을 만들었는지까지 확인할 필요가 생겼습니다. 뱅크 그룹은 HWinfo, Thaiphoon Burner 등 여러 소프트웨어를 활용하면 간단하게 확인할 수 있는 사양입니다. 하지만 메모리를 구매하기 전이라면 제조사가 별도로 사양을 공개하지 않는 한 도통 알기 어려운 사양이기도 합니다. 그러니 퀘이사존 칼럼을 좀 더 면밀히 살펴봐야 할 이유가 한 가지 추가됐다고 봐야겠지요.
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Advanced Mermory Voltages에서 PMIC Voltages 항목을 활성화하면 메모리 전압을 상세히 설정할 수 있다.
클록, 용량 등 메모리를 수치화할 수 있는 사양들은 대부분 세대가 거듭할수록 수치가 높아집니다. 그러나 전압만큼은 점차 낮아지고 있습니다. 지금이야 메모리 오버클록을 위해 1.5 V 이상 인가하면 혹여나 메모리에 문제가 생기는 건 아닌지 걱정 어린 시선을 받습니다. 물론 쿨링 설루션만 받쳐준다면 더 높은 전압으로도 사용하는데 무리가 없지만, 실제로 메모리 발열을 해소하기 위해 별도로 쿨링팬을 사용하는 사람은 극히 드무니까요. 하지만 DDR3는 기본 전압이 1.5 V이고, DDR2까지 거슬러 올라가면 1.9 V로 작동합니다. 당시에는 당연하게 느껴졌던 전압이지만, 지금 와서 보면 새삼 높게 느껴집니다.
DDR5는 기본 전압이 1.1 V로 작동합니다. 1.2 V로 작동하던 DDR4와 비교하면 큰 차이가 없어 보이기도 하지만, 실제 전력은 13% 정도 낮다고 알려져 있습니다. 그리고 단순히 전력만 낮아졌을 뿐만 아니라 PMIC(Power Management Integrated Circuit)를 탑재했는데요. 덕분에 마더보드 메모리 전원부 설정만으로 전압을 조정하는 게 아닌 메모리에서 직접 전압을 배정할 수 있습니다. ASUS 마더보드 기준으로 Extreme Tweaker에서 Advanced Mermory Voltages로 진입 후 PMIC Voltages 항목을 활성화하면 메모리 전압을 상세히 설정할 수 있습니다. 항목이 늘어난 만큼 시각에 따라 메모리 오버클록이 더 어려워졌다고 볼 수 있습니다. 그러나 CPU 오버클록을 할 때 모든 사항을 직접 조정하지 않는 거처럼 PMIC 항목도 필요에 따라 선택할 수 있는 여지를 줬다고 보면 좋습니다.
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