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연구팀, 나노미터 이하 트랜지스터 성장 프로세스 개발

QM지름

0 908 0 2024.07.07 14:36

<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/07/07/0437334a5aa3f58ee9dbc1f1a459c255.webp" alt="퀘이사존"> 무어의 법칙은 결국 죽지 않았을 수도 있습니다. 나노물질을 사용하는 새로운 기술은 트랜지스터를 더욱 소형화할 수 있어 팹 공장이 각 칩에 더 많은 트랜지스터를 넣을 수 있게 해줍니다. 이 연구는 현재의 리소그래피 기술이 허용하는 것보다 더 작은 기능을 갖춘 고급 반도체 장치를 만드는 새로운 가능성을 열어줍니다. 한국 기초과학연구원 반데르발스 양자 고체 연구단 조문호 단장이 이끄는 한국 연구팀이 반도체 및 나노 소재 기술을 크게 발전시켜 훨씬 더 작고 효율적이며 강력한 전자 장치를 개발할 수 있는 기술을 개발했습니다. 이 새로운 기술은 2차원 기판에서 게이트 전극으로 사용하기 위해 폭이 0.4나노미터만큼 좁은 "1차원" 금속 나노 물질을 성장시킬 수 있습니다. 이 기술은 기존 리소그래피의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대됩니다. 2차원 반도체를 기반으로 한 집적소자는 원자 수준의 두께로 얇아져도 우수한 전기적 특성을 보여 초박형 고성능 전자소자를 만들 수 있는 유망한 후보이다. 별도의 연구에서는 이러한 2D 논리 회로가 포스트 무어의 법칙 시대의 유망한 후보임을 나타냅니다. 그러나 2D 설계를 기반으로 한 집적 회로 제조 공정을 개발하는 것은 상당한 장애물에 직면해 있습니다. 섬세한 구조를 손상시키지 않고 2D 재료를 장치에 통합하는 것은 극히 어렵고, 고품질 2D 재료를 지속적으로 대규모 생산하는 것도 매우 어렵습니다. <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/07/07/d8bee3f437b1fa2735663fbb8a1b8ef2.webp" alt="퀘이사존"> 또 다른 문제는 현재의 리소그래피 및 제조 기술이 그렇게 작은 규모에서는 작동하지 않는다는 것입니다. 기존의 반도체 제조 공정에서는 리소그래피 해상도의 한계로 인해 게이트 길이를 수 나노미터 이하로 줄이는 것이 불가능합니다. 반도체 소자의 집적도는 트랜지스터에서 전자의 흐름을 제어하는 게이트 전극의 폭과 제어 효율에 따라 결정됩니다. 연구팀은 2차원 반도체인 이황화몰리브덴의 거울 쌍둥이 경계면이 폭이 0.4nm에 불과한 1차원 금속이라는 점을 활용했습니다. 연구팀은 이를 게이트 전극으로 사용해 리소그래피 공정의 한계를 극복했습니다. 연구팀은 원자 수준에서 결정 구조를 제어함으로써 기존 2D 반도체를 1D MTB로 변환할 수 있었습니다. 이러한 1D 금속 구조는 초소형 트랜지스터에서 게이트 전극 역할을 할 수 있습니다. 조문호 소장은 "에피택셜 성장을 통해 구현한 1차원 금속상은 초소형 반도체 공정에 적용할 수 있는 신소재 공정"이라고 말했습니다. "향후 다양한 저전력, 고성능 전자기기 개발에 핵심 기술이 될 것으로 기대된다"고 말했습니다. 하드웨어에 미치고 유저들을 사랑하는 남자, 퀘이사존 최고운영자 지름입니다.본 뉴스는 해외 매체의 단순 번역본으로 퀘이사존의 주관적인 견해가 포함되지 않았음을 밝혀드립니다.여러분들이 남겨 주신 소중한 댓글.. 진심으로 감사드립니다. 원문 출처 <a href="https://www.techspot.com/news/103696-research-team-creates-process-grow-sub-nanometer-transistors.html" target="_blank">techspot</a>

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