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삼성, 2026년까지 400단 수직형 낸드 개발…2030년까지 1000단 낸드 목표

크로노

22 3499 8 2024.10.29 11:45

해외 기사를 번역기로 번역 하였습니다 오역이 있을수 있으니 원문을 참고 하세요 <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2024/10/29/09ae9915f46021b466c23a087e842e79.png" alt="퀘이사존"> AI 열풍 속에서 HBM이 메모리 거대 기업의 주요 전장이 되면서 AI 데이터 센터에서 사용하는 대용량 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에도 이상적인 더 많은 레이어를 가진 NAND 칩에 대한 수요도 크게 늘고 있습니다. 한국 경제신문 의 최신 보도에 따르면 , 삼성은 2026년까지 400단 수직 NAND를 출시해 급성장하는 AI 기반 스토리지 시장에서 선두 자리를 차지할 계획입니다.
 한국 언론에 따르면, 삼성이 현재 286단 V9 낸드플래시 칩을 양산한 데 이어, 이 회사의 디바이스 솔루션 사업부는 이르면 2026년에 최소 400단의 수직 낸드를 생산하는 것을 목표로 하고 있습니다.
 삼성의 주요 경쟁사인 SK하이닉스도 400단 낸드를 개발 중이며, 2025년 말까지 양산을 위한 기술을 준비할 계획이라고 etnews 가 8월에 보도했습니다. 현재 HBM 리더는 400단 낸드의 본격적인 생산을 2026년 상반기에 시작할 계획이라고 합니다. 이는 삼성의 일정과 거의 비슷합니다.
 한국경제신문 보도에 따르면 기존 NAND 칩에서는 메모리 셀이 주변 회로 위에 쌓여 칩의 두뇌 역할을 한다고 합니다. 하지만 300개 이상의 층을 쌓으면 주변 회로가 손상되는 경우가 잦았습니다.
 보고서에 따르면, 삼성은 2013년에 업계 최초로 수직으로 쌓은 저장 셀을 사용한 V NAND 칩을 출시해 용량을 극대화했습니다.
이 문제를 해결하기 위해 삼성은 최첨단 10세대 V 낸드(V10)를 개발 중이라고 합니다. V10에서는 셀과 주변 회로를 별도의 웨이퍼에 제조한 후 결합하는 혁신적인 결합 기술을 사용할 계획입니다.
 삼성이 본딩 수직 낸드플래시 또는 BV 낸드로 명명한 이 기술은 또한 삼성이 "AI를 위한 꿈의 낸드"로 극찬하며, 한국경제신문에 따르면 단위 면적당 비트 밀도를 1.6배 높일 것이라고 밝혔습니다.
 이 방식은 상당한 저장 용량과 효율적인 방열을 제공하여 "초고" NAND 스택을 지원할 것으로 기대되며, 이는 AI 데이터 센터에서 사용되는 SSD에 이상적입니다.
 삼성은 더 많은 레이어를 가진 NAND에 대한 장기 로드맵을 공개하면서 실제로 야심적입니다. 한국경제신문에 따르면, 2027년 V11 NAND를 출시하여 스태킹 기술을 발전시킬 계획이며, 데이터 입력 및 출력 속도가 50% 향상되었습니다. 게다가, 보고서에서 인용한 임원들은 이 메모리 거대 기업이 2030년까지 1,000개 이상의 레이어를 가진 NAND를 개발할 계획이라고 말합니다.
 TrendForce 의 최신 조사 에 따르면 , 2024년 2분기에 삼성은 전 분기 대비 0.2% 증가한 36.9%의 시장 점유율로 NAND 플래시 시장에서 글로벌 리더십을 유지했습니다. SK 그룹은 0.1% 감소한 22.1%의 점유율로 뒤를 이었습니다. 다른 주요 업체로는 Kioxia(13.8%), Micron(11.8%), Western Digital(10.5%)이 있습니다.

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