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메모리 26년 1분기 가격 급등

QM바나

43 6265 29 2026.05.18 18:41

<img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/05/18/6c62c866f1eaf5d0cd6bac38b91b9efc.png" alt="퀘이사존"> <div align="center"><table align="center" class="__se_tbl" style="border-width: 1px 1px 0px 0px; border-style: dashed dashed none none; border-color: rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199) currentColor currentColor;width:800px;max-width: 100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" attr_no_border_tbl="1"><tbody><tr><td width="800" style="border-width: 0px 0px 1px 1px; border-style: none none dashed dashed; border-color: currentColor currentColor rgb(199, 199, 199) rgb(199, 199, 199);">    삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 가격 급등에 힘입어 2026년 1분기에 강력한 매출 및 이익 성장을 기록한 가운데, 양사 모두 해당 기간의 주목할 만한 가격 동향을 강조했습니다. 5월 15일 공개된 삼성의 분기 실적 보고서에 따르면, DRAM과 NAND를 포함한 메모리 평균 판매가격(ASP)은 2025년 연간 평균 대비 약 146% 급등했습니다.    삼성전자는 DRAM과 NAND의 가격 동향을 별도로 공개하지는 않았으나, 주요 모멘텀 동력으로 DS 부문 메모리 사업이 HBM4 및 DDR5와 같은 고성능 DRAM과 고용량 SSD용 NAND 플래시에 대한 강한 수요를 지속적으로 확인하고 있다는 점을 강조했습니다.     한편 같은 날 공개된 SK하이닉스의 1분기 재무 공시에 따르면, DRAM 비트 출하량은 전 분기와 대체로 비슷한 수준을 유지한 가운데 ASP는 주력 DRAM 가격의 상승 모멘텀에 힘입어 60% 중반대 상승률을 기록했습니다.     NAND 플래시는 더욱 가파른 가격 상승세를 보였습니다. 회사는 NAND 비트 출하량이 전 분기 대비 약 10% 감소한 반면, ASP는 전 제품군에 걸친 광범위한 가격 상승에 힘입어 70% 중반대 상승했다고 밝혔습니다.   메모리 비용 급등, 삼성 DX 부문 조달 구조 재편    그러나 메모리 가격 급등은 삼성전자에게 양날의 검이 되고 있습니다. 회사는 실적 보고서에서 완제품에 사용되는 DX 부문의 모바일 메모리 비용이 전년 연간 평균 대비 약 107% 상승했다고 밝혔습니다. 이러한 배경에서 ZDNet은 삼성전자 DX 부문이 처음으로 원자재 조달 목록에 "모바일 메모리"를 추가했다고 보도했습니다. 모바일 메모리는 1분기 DX 부문 조달 구성에서 9.4%를 차지하며, 카메라 모듈(8.9%)보다 약간 높았으나 모바일 AP(19.9%)와 디스플레이 패널(10.2%)보다는 낮은 비중을 보였습니다. ZDNet은 또한 DX 부문의 구매 총액이 1조 9,930억 원에 달했으며, 미국 메모리 반도체 기업 마이크론이 주요 공급사로 등재되어 있다고 전했습니다.   R&D 비용 증가, HBM4 및 HBM4E 진행 상황 주목    한편 디일렉에 따르면, 삼성전자와 SK하이닉스의 R&D 지출은 AI 메모리 개발 경쟁이 심화되는 가운데 해당 기간 동안 최대 68%까지 급증했습니다. 분기 보고서에 따르면 삼성전자의 1분기 R&D 지출은 전년 동기 대비 25.5% 증가한 11조 3,400억 원에 달했습니다. 자본 지출은 11조 2,300억 원을 기록했으며, 이 중 90.7%에 해당하는 10조 1,900억 원이 디바이스솔루션(DS) 부문에 배정되었습니다. 디일렉에 따르면 삼성은 올해 AI 반도체 기술 발전과 인수합병을 통한 로봇 등 신규 사업 확장을 위해 자본 지출 및 R&D에 110조 원 이상을 투입할 계획입니다.     주목할 점은 삼성이 실적 보고서에서 HBM 진행 상황도 강조했다는 것입니다. 회사는 2월부터 10나노급 1c DRAM 공정을 기반으로 한 HBM4의 양산 출하를 시작했으며, 베이스 다이는 삼성 파운드리의 4나노 공정으로 제조된다고 밝혔습니다. 디일렉에 따르면 회사는 HBM4E 개발도 진행 중이며, 첫 샘플 출하는 2분기로 예정되어 있습니다.     한편 SK하이닉스의 1분기 R&D 지출은 전년 동기 1조 5,200억 원에서 68.3% 증가한 2조 5,500억 원을 기록했으며, 이는 분기 매출 52조 5,800억 원의 4.9%에 해당합니다. 디일렉이 지적한 바와 같이 분기 R&D 지출이 2조 원을 처음 돌파한 것은 2025년 4분기였습니다. 보고서에 따르면 2022년부터 2024년까지 평균 분기 R&D 지출은 약 1조 1,100억 원 수준이었습니다.     디일렉에 따르면 SK하이닉스도 HBM4E 라인업을 준비 중이며, 2026년 하반기 샘플 출하와 2027년 양산을 목표로 하고 있습니다. 보고서는 회사가 고객의 성능 요구사항에 맞춘 공정 기술로 베이스 다이를 개발하고 있으며, 코어 다이는 1c DRAM 노드를 채택할 예정이라고 전했습니다.</td></tr></tbody></table></div> <img src="https://img2.quasarzone.com/editor/2026/05/18/dc0e10138b9452911e4b8b93e5b785a7.png" alt="퀘이사존"> ※ 퀘이사존 공식 기사가 아닌 해외 뉴스/기사를 번역한 것으로, 퀘이사존 견해와 주관은 포함되어 있지 않습니다.

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