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QLC 플래시 메모리를 넘어 PLC 플래시 메모리가 등장할 것

QM지름

10 2562 5 2020.04.13 10:49

NAND 플래시 메모리는 SLC에서 MLC, TLC로 세대교체가 이루어지고 있는데 비용이 단계적으로 감소하고 용량이 증가한다고 말할 수 있는데, 이것이 인기의 열쇠입니다. 이제 QLC 플래시 메모리는 올해 급속도로 발전하여 TLC를 대체할 것입니다. 또한, 더 많은 슬래그 PLC 플래시 메모리도 진행 중입니다. SLC, MLC, TLC, QLC 및 PLC란 플래시 메모리의 유형을 말하며, 그것들은 셀당 각각 1, 2, 3, 4, 5개의 전하를 저장하며, 그래서 용량은 점점 더 커지고 있지만, 그 대가는 점점 더 속도가 떨어지고, P/E 수명은 점점 더 부실해지는데 QLC의 P/E 횟수 프로모션에는 1,000번이지만 실제로 몇백 번 정도로 PLC 시대는 잘못되면 100번 안으로 떨어집니다. 소비자 입장에서는 QLC 플래시 메모리를 모두 수용하기 어려우며, 완고한 PLC 플래시 메모리는 말할 것도 없고, 이 수명과 속도는 보장되지 않습니다. 그러나 PLC 플래시 메모리에 대한 플래시 메모리 제조업체에 대한 연구는 이미 시작되었으며, 3세대 및 4세대 QLC 플래시 메모리의 개발로 현재의 성능, 용량 및 안정성은 결론을 유지하는 것으로 간주될 수 있습니다.  <div style="text-align: center;" align="center"><img src="https://img2.quasarzone.co.kr/web/editor/2004/2004obj___195610980.jpg" title="4e0d33c1e972a557c0be79a6559e44a1_1586741931_1216.jpg" style="font-size: 16px; max-width: 100%; height: auto;"></div> 인텔의 이전 위치에서 그들은 오래전에 PLC 플래시 메모리를 계획했지만 좋은 소식은 3D PLC 플래시 메모리가 여전히 플로팅 게이트 구조 (플로팅 게이트)를 사용한다는 점입니다. 3D 플래시 메모리의 현재 주류 구조는 Charge Trap 유형이지만 인텔은 플로팅 게이트 유형이 읽기 간섭 및 데이터 보존 기간에서 더 우수하다고 지적했습니다. 삼성, 도시바, 마이크론, SK 하이닉스, 웨스턴 디지털 및 기타 회사의 PLC 플래시 메모리도 등장 시기는 시간문제일 뿐입니다. PLC 플래시 메모리는 시장에 출시될 예정이지만 결국 승인될 것인지는 말하기 어렵습니다. SINA 스토리지 네트워크 협회 (SINA Storage Network Association) 이사회 멤버인 J Metz는 PLC 플래시 메모리는 기술적으로 불가피하다고 생각하지만, 특히 TLC 플래시 메모리 비용이 계속 하락할 때 시장 전망에 대해서는 의문을 표명했습니다. J Metz의 견해에 따르면 PLC 플래시 메모리를 막는 것은 PLC 자체의 단점이 아닙니다. 그러나 제조업체가 TLC 또는 QLC 플래시 메모리에서 필요한 대용량 및 비용을 달성할 수 있으면 PLC 플래시 메모리를 고집할 필요가 없습니다. <div style="text-align: center;" align="center"><img src="https://img2.quasarzone.co.kr/web/editor/2004/2004obj___1303712043.jpg" title="4e0d33c1e972a557c0be79a6559e44a1_1586742552_2365.jpg" style="font-size: 16px; max-width: 100%; height: auto;"></div> 퀘이사존의 창작 콘텐츠가 아닌 해외 IT 매체 mydrivers의 단순 번역본 뉴스입니다. 원문 출처 <a href="https://news.mydrivers.com/1/682/682865.htm" target="_self">mydrivers</a>

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